| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-27页 |
| 1.1 氮化镓器件的研究进展 | 第15-21页 |
| 1.1.1 氮化镓器件的优势 | 第15-18页 |
| 1.1.2 氮化镓器件的研究现状 | 第18-21页 |
| 1.2 高场可靠性研究进展 | 第21-22页 |
| 1.3 高温可靠性研究进展 | 第22-24页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第24-27页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT器件基本原理 | 第27-37页 |
| 2.1 AlGaN/GaN异质结极化效应 | 第27-31页 |
| 2.2 AlGaN/GaN异质结二维电子气 | 第31-33页 |
| 2.3 器件的直流特性 | 第33-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-37页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT器件高场可靠性 | 第37-51页 |
| 3.1 AlGaN/GaN HEMT器件高场退化机制 | 第37-40页 |
| 3.2 实验方案与器件参数表征 | 第40-41页 |
| 3.3 关态应力下AlGaN/GaN HEMT器件的可靠性 | 第41-49页 |
| 3.3.1 关态栅阶梯应力下器件的可靠性 | 第41-44页 |
| 3.3.2 关态漏阶梯应力下器件的可靠性 | 第44-46页 |
| 3.3.3 关态恒定应力下器件的可靠性 | 第46-48页 |
| 3.3.4 关态应力下器件的可靠性分析 | 第48-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMT器件高温可靠性 | 第51-61页 |
| 4.1 AlGaN/GaN HEMT器件热学特性仿真模型 | 第51-53页 |
| 4.2 模拟器件的基本结构 | 第53-54页 |
| 4.3 器件高温仿真结果及分析 | 第54-59页 |
| 4.3.1 温度对器件直流特性的影响 | 第54-57页 |
| 4.3.2 温度对器件小信号特性的影响 | 第57-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 作者简介 | 第69-70页 |
