| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-26页 |
| 1.1 研究背景 | 第16-17页 |
| 1.2 AlGaN/GaN基HEMT器件研究进展 | 第17-19页 |
| 1.3 GaN基HEMT器件退化与缺陷相关研究 | 第19-23页 |
| 1.4 本文的研究内容与论文安排 | 第23-26页 |
| 第二章 GaN基HEMT器件原理与相关工艺 | 第26-36页 |
| 2.1 GaN基HEMT器件的工作原理 | 第26-28页 |
| 2.2 HEMT器件的直流特性分析 | 第28-29页 |
| 2.3 AlGaN/GaN HEMT器件的制备工艺 | 第29-31页 |
| 2.4 AlGaN/GaN HEMT器件的基本测试 | 第31-34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-36页 |
| 第三章 GaN基HEMT器件的缺陷仿真研究 | 第36-60页 |
| 3.1 仿真工具介绍 | 第36-40页 |
| 3.1.1 Silvaco组成部件 | 第36-39页 |
| 3.1.2 silvaco中器件仿真流程 | 第39-40页 |
| 3.2 物理模型的设定与介绍 | 第40-42页 |
| 3.3 势垒层中缺陷对器件电特性的影响 | 第42-50页 |
| 3.3.1 AlGaN 势垒层中缺陷浓度对器件电特性的影响 | 第43-46页 |
| 3.3.2 AlGaN势垒层中缺陷浓度对器件电特性的影响 | 第46-48页 |
| 3.3.3 AlGaN势垒层中缺陷能级对器件电特性的影响 | 第48-50页 |
| 3.4 缓冲层中缺陷对器件电特性的影响 | 第50-54页 |
| 3.4.1 GaN缓冲层中缺陷浓度对器件电特性的影响 | 第50-52页 |
| 3.4.2 GaN缓冲层中缺陷能级对器件电特性的影响 | 第52-53页 |
| 3.4.3 GaN缓冲层中陷阱寿命对器件电特性的影响 | 第53-54页 |
| 3.5 不同材料中陷阱态对器件电特性的影响 | 第54-58页 |
| 3.5.1 缺陷的位置对器件电特性的影响 | 第54-56页 |
| 3.5.2 缺陷对场板器件电特性的影响 | 第56-58页 |
| 3.6 本章小结 | 第58-60页 |
| 第四章 电应力下器件退化与缺陷分析 | 第60-74页 |
| 4.1 电应力实验 | 第60-70页 |
| 4.1.1 实验的设置 | 第61-62页 |
| 4.1.2 电应力下器件各特性的退化规律 | 第62-70页 |
| 4.2 缺陷分析研究 | 第70-73页 |
| 4.2.1 仿真研究 | 第70页 |
| 4.2.2 仿真与实验结果对比研究 | 第70-73页 |
| 4.3 本章小结 | 第73-74页 |
| 第五章 结束语以及结论 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 致谢 | 第80-82页 |
| 作者简介 | 第82-83页 |
