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片上温度和电容测量技术研究

致谢第5-6页
摘要第6-7页
ABSTRACT第7页
目录第8-11页
图表和符号清单第11-15页
1 绪论第15-22页
    1.1 研究背景第15-19页
        1.1.1 温度测量第15-17页
        1.1.2 电容测量第17-19页
    1.2 国内外研究现状第19-20页
        1.2.1 CMOS智能温度传感器第19页
        1.2.2 CBCM电容测量技术第19-20页
    1.3 本文主要研究内容第20-22页
2 双极型晶体管的特性简介第22-30页
    2.1 二极管的特性第22-23页
    2.2 CMOS工艺中的双极型晶体管第23页
    2.3 纵向双极型晶体管的电流电压特性第23-25页
        2.3.1 符号约定第23-24页
        2.3.2 I_C-V_(BE)特性第24页
        2.3.3 I_E-V_(BE)特性第24-25页
    2.4 纵向双极型晶体管的温度特性第25-28页
        2.4.1 基本温度特性第25-26页
        2.4.2 电流增益的温度特性第26-28页
    2.5 CMOS工-艺中的电阻第28-29页
        2.5.1 电阻类型第28页
        2.5.2 温度特性第28-29页
    2.6 本章小结第29-30页
3 CMOS智能温度传感器的模拟电路设计第30-40页
    3.1 PTAT和CTAT电流第30-32页
    3.2 曲率矫正技术第32-33页
    3.3 运放的设计第33-36页
        3.3.1 运放的电路结构第33页
        3.3.2 运放的参数第33-34页
        3.3.3 斩波稳零技术第34-36页
    3.4 一阶∑ΔADC的设计第36-39页
        3.4.1 ADC的有效位数第36-37页
        3.4.2 ∑ΔADC的基本原理第37-39页
    3.5 本章小结第39-40页
4 CMOS智能温度传感器的系统设计,仿真和实测第40-53页
    4.1 传统CMOS智能温度传感器的结构第40-44页
        4.1.1 I_(temp)和I_(ref)产生电路第40-42页
        4.1.2 ADC电路第42-43页
        4.1.3 比例缩放第43页
        4.1.4 接口电路第43-44页
    4.2 新型CMOS智能温度传感器的结构第44-46页
        4.2.1 整体结构第45页
        4.2.2 I'_(ptat)和I'_(ctat)产生电路第45页
        4.2.3 ADC电路第45-46页
    4.3 动态范围及失配误差的分析第46-48页
        4.3.1 动态范围分析第46-47页
        4.3.2 失配误差分析第47-48页
    4.4 整体仿真第48-50页
        4.4.1 动态范围第48-49页
        4.4.2 失配误差第49-50页
    4.5 流片测试第50-51页
    4.6 本章小结第51-53页
5 CBCM测试结构的原理第53-62页
    5.1 CBCM基本结构第53-54页
    5.2 CBCM改进结构第54-55页
        5.2.1 MOS电容的基本介绍第54-55页
        5.2.2 测量过程第55页
    5.3 CBCM基本结构的测量误差分析第55-61页
        5.3.1 电荷注入的理论分析第56-58页
        5.3.2 电荷注入的仿真分析第58-60页
        5.3.3 失配的影响第60-61页
    5.4 CBCM改进结构的测量误差分析第61页
    5.5 本章小结第61-62页
6 可寻址CBCM测试结构第62-66页
    6.1 整体结构第62-63页
    6.2 误差分析第63-64页
    6.3 流片测试结果第64-65页
        6.3.1 55nm工艺流片测试结果第64-65页
        6.3.2 28nm工艺流片测试结果第65页
    6.4 本章小结第65-66页
7 结论第66-68页
    7.1 本文总结第66页
    7.2 主要创新点和研究展望第66页
    7.3 主要创新点第66-67页
    7.4 研究展望第67-68页
参考文献第68-74页
科研成果第74页

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