摘要 | 第5-6页 |
abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第10-21页 |
1.1 研究工作的背景与意义 | 第10-11页 |
1.2 磁光隔离器的国内外研究历史与现状 | 第11-19页 |
1.3 本文的主要贡献与创新 | 第19页 |
1.4 本论文的结构安排 | 第19-21页 |
第二章 磁光材料和磁光波导隔离器的结构及原理 | 第21-38页 |
2.1 磁光效应 | 第21-22页 |
2.1.1 法拉第效应 | 第21页 |
2.1.2 磁光克尔效应 | 第21-22页 |
2.1.3 赛曼效应 | 第22页 |
2.2 磁光材料 | 第22-24页 |
2.2.1 磁光玻璃 | 第22页 |
2.2.2 钇铁石榴石 | 第22-24页 |
2.2.2.1 未掺杂的钇铁石榴石 | 第23页 |
2.2.2.2 Ce掺杂的YIG | 第23-24页 |
2.3 磁光波导隔离器 | 第24-28页 |
2.3.1 法拉第旋光型光隔离器 | 第24-25页 |
2.3.2 非互易损耗型光隔离器 | 第25-26页 |
2.3.3 非互易相移型光隔离器 | 第26-28页 |
2.3.4 磁光隔离器的总结 | 第28页 |
2.4 非互易相移效应的原理 | 第28-31页 |
2.5 多模干涉效应 | 第31-35页 |
2.5.1 多模干涉效应的原理 | 第32-34页 |
2.5.2 多模干涉型光隔离器的原理 | 第34-35页 |
2.6 磁光波导的数值仿真方法 | 第35-36页 |
2.6.1 光束传播法(BPM) | 第35-36页 |
2.6.2 有限元法(FEM) | 第36页 |
2.7 本章小结 | 第36-38页 |
第三章 基于硅基的多模干涉型光隔离器 | 第38-62页 |
3.1 多模干涉型光隔离器的有限元仿真的收敛性 | 第38-40页 |
3.2 基于TM模式的纵向多模干涉型光隔离器 | 第40-52页 |
3.2.1 Ce:YIG/Si/SiO_2纵向多模干涉型光隔离器 | 第40-44页 |
3.2.2 Si/Ce:YIG/Si/SiO_2纵向多模干涉型光隔离器 | 第44-52页 |
3.3 基于TM模式的宽带横向多模干涉型光隔离器 | 第52-58页 |
3.4 基于TE模式的MMI光隔离器 | 第58-60页 |
3.5 本章小结 | 第60-62页 |
第四章 全文总结与展望 | 第62-64页 |
4.1 全文总结 | 第62页 |
4.2 后续工作展望 | 第62-64页 |
致谢 | 第64-65页 |
参考文献 | 第65-71页 |
攻读硕士学位期间取得的成果 | 第71-72页 |