| 中文摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-32页 |
| ·引言 | 第14页 |
| ·太阳能电池 | 第14-22页 |
| ·太阳能电池的发展历史 | 第14-17页 |
| ·量子点敏化太阳能电池的结构 | 第17-20页 |
| ·量子点敏化太阳能电池的工作原理 | 第20-22页 |
| ·量子点敏化太阳能电池的主要性能参数 | 第22页 |
| ·半导体光催化技术 | 第22-27页 |
| ·半导体光催化概述 | 第22-23页 |
| ·半导体光催化的机理 | 第23-25页 |
| ·提高半导体光催化性能的途径 | 第25-27页 |
| ·二氧化锡的基本性质、用途及其薄膜的制备方法 | 第27-30页 |
| ·二氧化锡的基本性质 | 第27页 |
| ·二氧化锡在太阳能电池中的应用 | 第27-28页 |
| ·二氧化锡在光催化中的应用 | 第28-29页 |
| ·二氧化锡薄膜的制备方法 | 第29-30页 |
| ·本论文的选题依据和研究内容 | 第30-32页 |
| 第二章 CdS/SnO_2纳米棒阵列复合薄膜的制备及其光电化学性能 | 第32-52页 |
| ·引言 | 第32-33页 |
| ·实验试剂和仪器设备 | 第33-34页 |
| ·实验试剂 | 第33页 |
| ·仪器设备 | 第33-34页 |
| ·透明 SnO_2纳米棒阵列的制备和表征 | 第34-43页 |
| ·实验过程 | 第34-35页 |
| ·透明 SnO_2纳米棒阵列的表征 | 第35-37页 |
| ·薄膜生长机制的讨论与分析 | 第37-43页 |
| ·CdS/ SnO_2纳米棒阵列复合薄膜的制备和表征 | 第43-50页 |
| ·实验过程 | 第43页 |
| ·化学水浴沉积法制备 CdS 薄膜的基本原理 | 第43-44页 |
| ·结果与讨论 | 第44-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第三章 Ⅱ-Ⅵ族半导体敏化 SnO_2球状颗粒薄膜电极的制备及其光电化学性能 | 第52-72页 |
| ·引言 | 第52-53页 |
| ·SnO_2球状颗粒薄膜的制备和表征 | 第53-56页 |
| ·SnO_2球状颗粒薄膜的制备 | 第53页 |
| ·XRD 分析 | 第53-54页 |
| ·FESEM 与 HRTEM 分析 | 第54-55页 |
| ·UV-vis 吸收光谱分析 | 第55-56页 |
| ·CdS 敏化 SnO_2球状颗粒薄膜的制备和表征 | 第56-63页 |
| ·CdS 敏化 SnO_2球状颗粒薄膜的制备 | 第56-57页 |
| ·HRTEM 和 EDS 分析 | 第57-59页 |
| ·UV-vis 吸收光谱分析 | 第59-60页 |
| ·光电化学性质分析 | 第60-63页 |
| ·CdS/CdSe 共敏化 SnO_2球状颗粒薄膜的制备和表征 | 第63-69页 |
| ·CdS/CdSe 共敏化 SnO_2球状颗粒薄膜的制备 | 第63页 |
| ·EDS-mapping、HRTEM 和 EDS 分析 | 第63-65页 |
| ·UV-vis 吸收光谱分析 | 第65-66页 |
| ·光电化学性质分析 | 第66-69页 |
| ·本章小结 | 第69-72页 |
| 第四章 CdS敏化SnO_2延伸状八面体颗粒薄膜的制备及其光电化学与光催化降解性能 | 第72-88页 |
| ·引言 | 第72-73页 |
| ·SnO_2延伸状八面体颗粒薄膜的制备和表征 | 第73-77页 |
| ·SnO_2延伸状八面体颗粒薄膜的制备 | 第73页 |
| ·XRD 分析 | 第73-74页 |
| ·FESEM 与 TEM、HRTEM 分析 | 第74-76页 |
| ·UV-vis 吸收光谱分析 | 第76-77页 |
| ·CdS 敏化 SnO_2延伸状八面体颗粒薄膜的制备和表征 | 第77-86页 |
| ·CdS 敏化 SnO_2延伸状八面体颗粒薄膜的制备 | 第77页 |
| ·FESEM 分析 | 第77-78页 |
| ·TEM、HRTEM 和 EDS 分析 | 第78-79页 |
| ·UV-vis 吸收光谱分析 | 第79-80页 |
| ·光电化学性质分析 | 第80-82页 |
| ·光催化性能分析 | 第82-85页 |
| ·光电流响应特性分析 | 第85-86页 |
| ·本章小结 | 第86-88页 |
| 第五章 结论与展望 | 第88-92页 |
| ·结论 | 第88-89页 |
| ·展望 | 第89-92页 |
| 参考文献 | 第92-106页 |
| 作者简历 | 第106-108页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第108-110页 |
| 致谢 | 第110页 |
