| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-25页 |
| ·半导体硅材料 | 第10-11页 |
| ·硅的基本性质 | 第11-13页 |
| ·硅的光学性质 | 第12-13页 |
| ·硅的热学性质 | 第13页 |
| ·硅的机械性质 | 第13页 |
| ·硅中的氧 | 第13-17页 |
| ·硅中氧的引入及扩散 | 第13-15页 |
| ·硅中氧的作用 | 第15-17页 |
| ·硅中的微缺陷 | 第17-21页 |
| ·本征点缺陷 | 第17-19页 |
| ·空洞型缺陷 | 第19-20页 |
| ·氧化诱生堆垛层错(OSFs) | 第20-21页 |
| ·硅片表面纳米形貌和微粗糙度及测试方法 | 第21-23页 |
| ·本文的研究内容与意义 | 第23-25页 |
| 2 实验设备和样品 | 第25-29页 |
| ·实验设备 | 第25-26页 |
| ·高温退火炉 | 第25页 |
| ·湿氧氧化炉 | 第25-26页 |
| ·测试设备 | 第26-28页 |
| ·AFS3200 | 第26页 |
| ·SP1表面颗粒检测仪 | 第26-27页 |
| ·ZYGO Newview5022型3D表面轮廓仪 | 第27-28页 |
| ·金相显微镜 | 第28页 |
| ·样品和制备 | 第28-29页 |
| ·实验样品 | 第28页 |
| ·样品制备 | 第28-29页 |
| 3 高温退火对硅单晶中VOID缺陷消除的影响 | 第29-43页 |
| ·实验方案 | 第29-30页 |
| ·实验结果 | 第30-40页 |
| ·退火温度对硅单晶中VOID缺陷消除的影响 | 第30-33页 |
| ·退火时间对硅单晶中VOID缺陷消除的影响 | 第33-38页 |
| ·退火气氛对硅单晶中VOID缺陷消除的影响 | 第38-40页 |
| ·分析讨论 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 4 高温退火对硅片表面状态和几何参数的影响 | 第43-51页 |
| ·实验方案 | 第43-44页 |
| ·实验结果和分析 | 第44-49页 |
| ·高温退火对硅片表面状态的影响 | 第44-48页 |
| ·高温退火对硅片几何参数的影响 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 5 高温退火消除硅片表面残余应力研究 | 第51-56页 |
| ·实验方案 | 第51-52页 |
| ·实验结果和分析 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |