| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-14页 |
| 第一章 引言 | 第14-27页 |
| ·SOI 应用领域 | 第15-17页 |
| ·厚膜 SOI | 第16-17页 |
| ·厚膜 SOI 市场前景 | 第17页 |
| ·主流的厚膜 SOI 制造技术 | 第17-23页 |
| ·BESOI | 第19页 |
| ·外延层转移技术（ELTRAN） | 第19-20页 |
| ·SMARTCUT 技术 | 第20-22页 |
| ·SIMBOND 技术 | 第22-23页 |
| ·开发新型 BESOI 作为厚膜 SOI 制造工艺的意义 | 第23-26页 |
| ·现有 SOI 工艺的优缺点 | 第23-24页 |
| ·新型 BESOI 工艺流程及特点 | 第24-26页 |
| ·本文的主要工作 | 第26-27页 |
| 第二章 新型 BESOI 外延技术 | 第27-33页 |
| ·外延工艺简介 | 第27页 |
| ·外延过渡区 | 第27-29页 |
| ·外延掺杂源的选择 | 第28-29页 |
| ·外延结构对扩散的影响 | 第29-31页 |
| ·纯本征层对扩散的影响 | 第29-31页 |
| ·外延炉对 Range 的影响 | 第31-32页 |
| ·ASM 单片炉外延 | 第31页 |
| ·桶式炉外延 | 第31-32页 |
| ·对比小结 | 第32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 键合与加固工艺 | 第33-49页 |
| ·键合原理 | 第33-34页 |
| ·键合设备 | 第34-35页 |
| ·等离子键合工艺 | 第35-43页 |
| ·等离子体处理硅片 | 第35-43页 |
| ·等离子体键合后的击穿电压 | 第43页 |
| ·键合后加固技术 | 第43-48页 |
| ·退火温度对杂质扩散的研究 | 第44-46页 |
| ·退火温度对键合强度的研究 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 硅片腐蚀减薄工艺 | 第49-78页 |
| ·旋转腐蚀减薄 | 第49-52页 |
| ·旋转腐蚀机台 | 第49-52页 |
| ·HNA 腐蚀原理 | 第52-55页 |
| ·HNA 系统的腐蚀特性 | 第55-76页 |
| ·腐蚀自停止 | 第56-57页 |
| ·预腐蚀的必要性 | 第57-58页 |
| ·腐蚀前硅片表面状态的影响 | 第58-61页 |
| ·浓度及配比对腐蚀的影响 | 第61-68页 |
| ·流量对腐蚀速率的影响 | 第68-70页 |
| ·硅片转速对腐蚀速率的影响 | 第70-72页 |
| ·黑色腐蚀斑纹的去除 | 第72-73页 |
| ·腐蚀三角图 | 第73-74页 |
| ·不同掺杂类型对腐蚀速率的影响 | 第74-75页 |
| ·硅片背面保护 | 第75-76页 |
| ·本章小结 | 第76-78页 |
| 第五章 化学机械抛光减薄技术研究 | 第78-83页 |
| ·单面化学机械抛光 | 第78-82页 |
| ·化学机械抛光工艺参数分析 | 第80-81页 |
| ·CMP 抛光去除量对腐蚀后均匀性的影响 | 第81-82页 |
| ·本章小结 | 第82-83页 |
| 第六章 工艺结论 | 第83-85页 |
| ·埋氧层/顶层硅厚度可调 | 第83页 |
| ·埋氧层/顶层硅厚度的均匀性优良 | 第83页 |
| ·埋氧层优良的介电性能 | 第83页 |
| ·顶层硅的表面缺陷状况 | 第83-84页 |
| ·结论 | 第84-85页 |
| 第七章 结束语 | 第85-87页 |
| ·主要工作与创新点 | 第85页 |
| ·后续研究工作 | 第85-87页 |
| 参考文献 | 第87-91页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第91页 |