| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-12页 |
| 绪论 | 第12-16页 |
| ·VDMOSFET 的发展情况 | 第14-16页 |
| 第1章 VDMOSFET 概述 | 第16-22页 |
| ·VDMOSFET 的结构特点 | 第16-18页 |
| ·功率MOSFET 的特性 | 第18-19页 |
| ·功率MOSFET 的工作原理 | 第18-19页 |
| ·功率MOSFET 的安全工作区 | 第19-20页 |
| ·功率MOSFET 的负温度特性 | 第20-22页 |
| 第2章 VDMOSFET 的主要参数 | 第22-28页 |
| ·最大漏极电流IDMAX | 第22-23页 |
| ·迁移率与杂质浓度和温度的关系 | 第22页 |
| ·迁移率与电场的关系 | 第22-23页 |
| ·漏源击穿电压 | 第23-24页 |
| ·阈值电压Vt | 第24-25页 |
| ·导通电阻Ron | 第25-26页 |
| ·跨导ｇｍ | 第26页 |
| ·最高工作频率fmax | 第26页 |
| ·开通时间ton 和关断时间toff | 第26-28页 |
| 第3章 VDMOSFET 特征导通电阻的物理模型 | 第28-35页 |
| ·沟道导通电阻RCh 和沟道特征导通电阻RChA | 第29-31页 |
| ·积累层导通电阻RAcc 和积累层特征导通电阻RAccA | 第31页 |
| ·JFET 区导通电阻RJFET 和JFET 区特征导通电阻RJFETA | 第31-33页 |
| ·外延层导通电阻REpi 和外延层特征导通电阻REpiA | 第33-35页 |
| 第4章 100V VDMOSFET 的设计 | 第35-56页 |
| ·VDMOSFET 的结构参数的优化设计 | 第35-41页 |
| ·衬底材料的选择 | 第35页 |
| ·外延层电阻率和掺杂浓度的确定 | 第35-36页 |
| ·外延层厚度的确定 | 第36-37页 |
| ·二氧化硅层厚度和p-区扩散浓度 | 第37-38页 |
| ·单胞尺寸的设计考虑 | 第38-39页 |
| ·特征导通电阻的计算 | 第39-41页 |
| ·由导通电阻确定单胞数和有效面积 | 第41页 |
| ·VDMOSFET 的终端结构 | 第41-47页 |
| ·金属场板的结构及原理 | 第42页 |
| ·氧化层厚度的确定 | 第42-44页 |
| ·场板长度的确定 | 第44页 |
| ·浮场保护环 | 第44-47页 |
| ·终端截止环 | 第47页 |
| ·100V VDMOSFET 的虚拟制造及分析 | 第47-50页 |
| ·TSUPREM4 软件的简要介绍 | 第47页 |
| ·VDMOS 的工艺流程 | 第47-50页 |
| ·VDMOSFET 的版图设计 | 第50-56页 |
| ·单元图形及排列方式 | 第50页 |
| ·栅电极 | 第50-51页 |
| ·管区面积的确定 | 第51-53页 |
| ·本设计中VDMOSFET 的光刻版图形 | 第53-56页 |
| 第5章 模拟 VDMOSFET 过程 | 第56-73页 |
| ·工艺模拟软件知识 | 第56页 |
| ·ATHENA 模拟 VDMOS 具体过程 | 第56-69页 |
| ·ATLAS 器件模拟 | 第69-73页 |
| ·方程的解法 | 第69页 |
| ·边界条件 | 第69页 |
| ·器件模拟的物理模型 | 第69-70页 |
| ·提取电学参数 | 第70-73页 |
| 第6章 结论和展望 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
