多晶硅纳米薄膜压阻机理与特性的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-27页 |
| ·引言 | 第13-15页 |
| ·多晶硅压阻薄膜工艺技术 | 第15-19页 |
| ·低压化学气相淀积 | 第16-17页 |
| ·掺杂技术 | 第17页 |
| ·多晶硅薄膜技术的研究热点与发展趋势 | 第17-19页 |
| ·多晶硅压阻特性的研究概况 | 第19-24页 |
| ·迁移率模型 | 第20页 |
| ·基于单晶硅压阻效应的模型 | 第20-22页 |
| ·考虑势垒区压阻效应的模型 | 第22-23页 |
| ·现有压阻理论的局限性 | 第23-24页 |
| ·研究目的和意义 | 第24-25页 |
| ·论文的主要工作内容 | 第25-27页 |
| 第2章 多晶硅纳米薄膜的制备与表征 | 第27-39页 |
| ·LPCVD薄膜的制备 | 第27-30页 |
| ·不同厚度的多晶硅薄膜 | 第27-29页 |
| ·不同掺杂浓度的多晶硅纳米薄膜 | 第29页 |
| ·不同淀积温度的多晶硅纳米薄膜 | 第29-30页 |
| ·薄膜的微观结构表征 | 第30-36页 |
| ·不同掺杂浓度多晶硅纳米薄膜的晶粒度 | 第30-32页 |
| ·不同膜厚多晶硅纳米薄膜的表征 | 第32-34页 |
| ·不同淀积温度的多晶硅纳米薄膜的表征 | 第34-36页 |
| ·测试样品的制备 | 第36-38页 |
| ·测试样品的版图设计 | 第36-38页 |
| ·测试样品制作工艺 | 第38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第3章 多晶硅纳米薄膜压阻特性测试及结果 | 第39-57页 |
| ·应变因子的测试原理与方法 | 第39-41页 |
| ·薄膜电阻的应变 | 第39-40页 |
| ·应变因子的测试方法 | 第40-41页 |
| ·不同掺杂浓度样品的测试结果 | 第41-48页 |
| ·应变因子与掺杂浓度的关系 | 第41-44页 |
| ·不同掺杂浓度薄膜的压阻温度特性 | 第44-48页 |
| ·不同膜厚样品的测试结果 | 第48-52页 |
| ·应变因子与膜厚的关系 | 第49-50页 |
| ·不同膜厚样品的压阻温度特性 | 第50-52页 |
| ·不同淀积温度样品的测试结果 | 第52-56页 |
| ·应变因子与淀积温度的关系 | 第52-54页 |
| ·不同淀积温度样品的压阻温度特性 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第4章 多晶硅的隧道压阻模型 | 第57-90页 |
| ·引言 | 第57-58页 |
| ·隧道压阻效应 | 第58-65页 |
| ·单晶硅的压阻效应 | 第58-63页 |
| ·多晶硅的隧道压阻效应 | 第63-65页 |
| ·多晶硅的隧道压阻模型 | 第65-77页 |
| ·多晶硅的能带图与导电机构 | 第66-68页 |
| ·中温区的伏安特性 | 第68-71页 |
| ·多晶硅的压阻机构与等效电路 | 第71-74页 |
| ·等效隧道电阻的压阻系数 | 第74-77页 |
| ·多晶硅复合晶界的压阻系数 | 第77-82页 |
| ·多晶硅薄膜应变因子与掺杂浓度关系的理论计算 | 第82-89页 |
| ·多晶硅纳米薄膜的TPM G_p-N_A关系曲线 | 第82-86页 |
| ·普通多晶硅薄膜的TPM G_p-N_A关系曲线 | 第86-89页 |
| ·本章小结 | 第89-90页 |
| 第5章 实验结果的理论分析 | 第90-103页 |
| ·掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜压阻特性的影响 | 第90-95页 |
| ·应变因子与掺杂浓度的关系 | 第90-92页 |
| ·掺杂浓度对压阻温度特性的影响 | 第92-95页 |
| ·多晶硅纳米薄膜的结构与压阻特性的关系 | 第95-100页 |
| ·薄膜结构对应变因子的影响 | 第95-98页 |
| ·薄膜结构对压阻温度特性的影响 | 第98-100页 |
| ·具有最佳压阻特性薄膜的关键技术参数 | 第100-101页 |
| ·本章小结 | 第101-103页 |
| 结论 | 第103-105页 |
| 参考文献 | 第105-115页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第115-118页 |
| 致谢 | 第118-119页 |
| 个人简历 | 第119页 |
