基于BICMOS工艺的高性能基准电压源研究

第一章 绪论	第1-12页
·研究的背景及意义	第8-9页
·国内外研究现状	第9-11页
·本论文的主要工作	第11-12页
第二章 基准电压源的基本原理及发展状况	第12-24页
·带隙基准电压源的基本原理	第12-17页
·基准电压源的性能参数	第12-13页
·与温度无关的基准	第13-17页
·传统的几种结构	第17-24页
·基于双极型工艺的带隙基准电压源	第17-21页
·基于 CMOS工艺的带隙基准电压源	第21-24页
第三章 高性能带隙基准电压源的电路设计	第24-44页
·设计指标	第24-26页
·设计思路	第26-28页
·子电路的设计	第28-44页
·基准核心产生电路	第28-37页
·提高电源抑制比电路	第37-38页
·启动电路	第38-44页
第四章 高性能带隙基准电压源的电路仿真	第44-54页
·仿真工具简介	第44-45页
·电路的仿真结果及分析	第45-52页
·温度特性	第45-46页
·电源电压稳定性	第46页
·负载电流稳定性	第46-47页
·电源电压抑制比	第47-48页
·噪声特性	第48-49页
·启动时间	第49-50页
·静态电流	第50-52页
·与一种改进型基准电路的比较	第52-54页
结论	第54-55页
致谢	第55-56页
参考文献	第56-60页
攻读硕士学位期间发表的论文	第60页