| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRCT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 氧化锌（ZnO）材料的性质及其研究背景 | 第10-12页 |
| 1.2.1 ZnO的晶体结构 | 第10-11页 |
| 1.2.2 ZnO的应用前景 | 第11-12页 |
| 1.2.3 ZnO的研究现状 | 第12页 |
| 1.3 铁电材料的性质及其研究背景 | 第12-14页 |
| 1.3.1 铁电材料的基本性质 | 第12-13页 |
| 1.3.2 钛酸钡和钛酸锶材料的结构与应用 | 第13-14页 |
| 1.4 本文的研究内容安排 | 第14-16页 |
| 参考文献 | 第16-20页 |
| 第2章 ZnO及BaTiO_3薄膜器件制备及其电学测试方法 | 第20-30页 |
| 2.1 ZnO及BaTiO_3薄膜器件的制备方法 | 第20页 |
| 2.2 脉冲激光沉积技术 | 第20-22页 |
| 2.3 溅射技术 | 第22-24页 |
| 2.4 表征方法 | 第24-27页 |
| 2.4.1 X射线衍射 | 第24-25页 |
| 2.4.2 Keithley 2400及Aglient 4294A的简介 | 第25-26页 |
| 2.4.3 综合物性测量系统（PPMS）的简介 | 第26-27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-28页 |
| 参考文献 | 第28-30页 |
| 第3章 导电玻璃衬底上BaTiO_3/ZnO薄膜器件的制备及结构与电学性能 | 第30-40页 |
| 3.1 导电玻璃（FTO）衬底上生长BTO-ZnO的多晶薄膜 | 第30-32页 |
| 3.1.1 衬底的选择 | 第30页 |
| 3.1.2 采用PLD设备制备BaTiO_3-ZnO异质结 | 第30-32页 |
| 3.2 Au/BTO/FTO器件的XRD表征 | 第32页 |
| 3.3 Au/BTO/FTO异质结的电学性能表征 | 第32-36页 |
| 3.3.1 Au/BTO/FTO异质结的I-V特性测试 | 第32-34页 |
| 3.3.2 Au/BTO/FTO异质结的C-V特性测试 | 第34-35页 |
| 3.3.3 Au/BTO/FTO异质结的P-V特性测试 | 第35-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-40页 |
| 第4章 （0002）ZnO /（110）NSTO外延异质结的生长和电输运性质 | 第40-60页 |
| 4.1 (0002）ZnO /（110）NSTO外延异质结的生长 | 第40-41页 |
| 4.2 (0002）ZnO /（110）NSTO外延异质结的XRD图谱及表面截面形貌 | 第41-44页 |
| 4.3 (0002）ZnO /（110）NSTO外延异质结的电学性能表征 | 第44-56页 |
| 4.3.1 (0002）ZnO /（110）NSTO外延异质结的I-V特性测试 | 第44-47页 |
| 4.3.2 (0002）ZnO /（110）NSTO外延异质结的C-V特性测试 | 第47-48页 |
| 4.3.3 (0002）ZnO /（110）NSTO外延异质结的电学特性测试 | 第48-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 第5章 (0002）ZnO /（110）NSTO外延异质结的磁性测试 | 第60-66页 |
| 5.1 磁性测试的选择及准备 | 第60页 |
| 5.2 (0002）ZnO /（110）NSTO外延异质结的磁滞回线(M-H)测试 | 第60-63页 |
| 5.3 (0002）ZnO /（110）STO外延异质结的磁滞回线(M-H)测试 | 第63-64页 |
| 5.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-66页 |
| 总结 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第70-71页 |
