| 内容提要 | 第1-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·历史与研究现状 | 第7-8页 |
| ·研究背景和意义 | 第8-10页 |
| ·本论文的主要内容 | 第10-11页 |
| 第二章 CMOS 带隙基准电压源 | 第11-23页 |
| ·带隙基准电压源的基本原理 | 第11-16页 |
| ·负温度系数电压的产生 | 第11-13页 |
| ·正温度系数电压的产生 | 第13-14页 |
| ·带隙基准电压的形成 | 第14-16页 |
| ·几种典型的带隙基准电压源 | 第16-21页 |
| ·带隙基准源的主要性能指标 | 第21-23页 |
| 第三章 带隙基准源的温度补偿 | 第23-35页 |
| ·VBE 的温度特性分析 | 第23-26页 |
| ·几种常见的温度补偿技术 | 第26-35页 |
| ·利用MOS 管亚阈区I-V 特性的非线性补偿技术 | 第26-28页 |
| ·利用电阻的温度特性的曲率校正方法 | 第28-30页 |
| ·VBE 线性化补偿方法 | 第30-32页 |
| ·指数型温度补偿方法 | 第32-34页 |
| ·几种温度高阶补偿方法的比较 | 第34-35页 |
| 第四章 一种低功耗、高PSRR 带隙基准源的设计 | 第35-53页 |
| ·核心电路的设计 | 第35-38页 |
| ·运算放大器的设计 | 第38-43页 |
| ·偏置电路的设计 | 第43-46页 |
| ·启动电路的设计 | 第46-47页 |
| ·仿真结果 | 第47-53页 |
| 第五章 版图设计与后仿真 | 第53-61页 |
| ·版图设计 | 第53-59页 |
| ·运算放大器的版图 | 第53-55页 |
| ·三极管的版图 | 第55-56页 |
| ·电阻的版图 | 第56-58页 |
| ·整体电路的版图 | 第58-59页 |
| ·仿真结果 | 第59-61页 |
| 第六章 总结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 摘要 | 第65-67页 |
| ABSTRACT | 第67-69页 |