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一种大功率高集成PMIC后端设计与实现

摘要第5-7页
abstract第7-8页
第一章 绪论第11-18页
    1.1 PMIC发展概况第11-12页
    1.2 PMIC后端技术第12-14页
        1.2.1 版图工具第12-13页
        1.2.2 版图设计第13-14页
        1.2.3 BCD工艺第14页
        1.2.4 封装技术第14页
    1.3 PMIC后端研究现状第14-17页
    1.4 本文的主要工作与实现目标第17-18页
第二章 DMOS研究与DGMOS设计第18-34页
    2.1 LDMOS的结构、原理与特点第18-20页
    2.2 LDMOS应用在电源管理芯片上的缺陷第20-26页
    2.3 DGMOS的设计第26-32页
        2.3.1 DGMOS设计原理第27-28页
        2.3.2 DGMOS物理实现第28-29页
        2.3.3 DGMOS测试结果第29-31页
        2.3.4 DGMOS工艺优化第31-32页
    2.4 本章小结第32-34页
第三章 保护环技术研究与设计第34-60页
    3.1 保护环的作用第34-40页
        3.1.1 闩锁抑制环第34-39页
        3.1.2 噪声隔离(吸收)环第39-40页
    3.2 保护环的分类第40-41页
    3.3 噪声的类型与防护第41-56页
        3.3.1 串扰第41-49页
        3.3.2 衬底噪声第49-51页
        3.3.3 电源电压降和地弹噪声第51-56页
    3.4 一种改进型保护环第56-59页
        3.4.1 浮空噪声收集环第57页
        3.4.2 PMIC9***保护环设计第57-59页
    3.5 本章小节第59-60页
第四章 PMIC9***版图设计与流片验证第60-80页
    4.1 版图前期准备工作第60-70页
    4.2 模块级版图设计第70-74页
    4.3 顶层版图设计第74-77页
    4.4 流片测试结果第77-79页
    4.5 本章小节第79-80页
第五章 结论第80-82页
致谢第82-83页
参考文献第83-86页

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