| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第17-22页 |
| 1.1 氧化铜的基本性质 | 第17-18页 |
| 1.2 氧化铜薄膜的研究现状 | 第18-20页 |
| 1.3 金属掺杂氧化铜薄膜的研究现状 | 第20-21页 |
| 1.4 本工作研究的目的及意义 | 第21页 |
| 1.5 论文各部分的主要内容 | 第21-22页 |
| 第二章 CuO薄膜的制备及表征方法 | 第22-27页 |
| 2.1 CuO薄膜的制备 | 第22-23页 |
| 2.2 CuO薄膜的高温热处理技术 | 第23页 |
| 2.3 CuO薄膜的表征方法 | 第23-27页 |
| 2.3.1 X射线衍射(XRD) | 第23-24页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜(SEM)及能量色散X射线光谱仪(EDX) | 第24页 |
| 2.3.3 紫外可见近红外(UV-VIS-NIR)分光光度计 | 第24-25页 |
| 2.3.4 四探针电阻率测试仪 | 第25页 |
| 2.3.5 X射线光电子能谱仪(XPS) | 第25-26页 |
| 2.3.6 振动样品磁强计(VSM) | 第26-27页 |
| 第三章 Si(100)及ITO玻璃衬底上CuO薄膜的制备及其特性研究 | 第27-43页 |
| 3.1 Si衬底上CuO薄膜的制备及其特性研究 | 第27-36页 |
| 3.1.1 Si衬底上不同参数下制备CuO薄膜的结构特性 | 第28-31页 |
| 3.1.2 Si衬底上制备CuO薄膜退火后结构 | 第31页 |
| 3.1.3 Si衬底上制备CuO薄膜及表面特性 | 第31-33页 |
| 3.1.4 Si衬底上制备CuO薄膜的成分组成 | 第33-35页 |
| 3.1.5 Si衬底上制备CuO薄膜的电学特性 | 第35-36页 |
| 3.2 ITO玻璃衬底上CuO薄膜的制备及其特性研究 | 第36-43页 |
| 3.2.1 ITO玻璃衬底上不同参数下制备CuO薄膜的结构特性 | 第36-39页 |
| 3.2.2 ITO玻璃衬底上CuO薄膜的表面特性 | 第39-40页 |
| 3.2.3 ITO玻璃衬底上制备CuO薄膜的成分组成 | 第40-41页 |
| 3.2.4 ITO玻璃衬底上制备CuO薄膜的电学特性 | 第41页 |
| 3.2.5 ITO玻璃衬底上制备CuO薄膜的光学特性 | 第41-43页 |
| 第四章 金属掺杂CuO薄膜的制备及其特性研究 | 第43-68页 |
| 4.1 CuO-Mn：Al薄膜的制备及特性 | 第44-55页 |
| 4.1.1 CuO-Mn：Al薄膜的结构特性 | 第44-49页 |
| 4.1.2 CuO-Mn：Al薄膜的表面形貌及成分分析 | 第49-52页 |
| 4.1.3 CuO-Mn：Al薄膜的电学性能 | 第52-53页 |
| 4.1.4 CuO-Mn：Al薄膜的光学性能 | 第53-55页 |
| 4.2 CuO-Co：Al薄膜的制备及特性 | 第55-66页 |
| 4.2.1 CuO-Co：Al薄膜的结构特性 | 第55-60页 |
| 4.2.2 CuO-Co：Al薄膜的表面形貌及成分分析 | 第60-63页 |
| 4.2.3 CuO-Co：Al薄膜的电学性能 | 第63-64页 |
| 4.2.4 CuO-Co：Al薄膜的光学性能 | 第64-66页 |
| 4.3 金属掺杂CuO薄膜的磁学性能 | 第66-68页 |
| 第五章 结论 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-78页 |
| 致谢 | 第78-80页 |
| 附录：攻读硕士期间发表的文章 | 第80-81页 |
