| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第16-19页 |
| 1.2 高频段class E功率放大器研究现状 | 第19-21页 |
| 1.3 本文结构安排 | 第21-22页 |
| 第二章 功率放大器理论 | 第22-46页 |
| 2.1 最大输出功率匹配和最优负载匹配 | 第22-23页 |
| 2.2 功率放大器关键技术指标 | 第23-30页 |
| 2.2.1 输出功率 | 第23-24页 |
| 2.2.2 功率增益 | 第24页 |
| 2.2.3 效率 | 第24-25页 |
| 2.2.4 线性度 | 第25-29页 |
| 2.2.5 稳定性 | 第29-30页 |
| 2.3 功率放大器的类型 | 第30-44页 |
| 2.3.1 A类功率放大器 | 第30-32页 |
| 2.3.2 B类功率放大器 | 第32-34页 |
| 2.3.3 AB类功率放大器 | 第34页 |
| 2.3.4 C类功率放大器 | 第34-35页 |
| 2.3.5 E类功率放大器 | 第35-42页 |
| 2.3.6 F类功率放大器 | 第42-44页 |
| 2.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 第三章 10GHz SiGe E类功率放大器设计 | 第46-70页 |
| 3.1 设计指标 | 第46页 |
| 3.2 工艺简介 | 第46-50页 |
| 3.2.1 HBT晶体管 | 第47-48页 |
| 3.2.2 电容 | 第48页 |
| 3.2.3 螺旋电感 | 第48-49页 |
| 3.2.4 微带传输线 | 第49-50页 |
| 3.2.5 Bond Pad | 第50页 |
| 3.3 在Vce超过BV_(ceo)操作点下的SiGe HBTs | 第50-51页 |
| 3.4 堆叠结构的E类功放 | 第51-54页 |
| 3.4.1 双堆叠HBTs结构电压摆幅分析 | 第51-54页 |
| 3.4.2 继续增加堆叠管子的弊端 | 第54页 |
| 3.5 功率放大器电路设计 | 第54-61页 |
| 3.5.1 确定阈值电压 | 第55页 |
| 3.5.2 class E功率放大器实现过程 | 第55-60页 |
| 3.5.3 class E整体电路结构 | 第60-61页 |
| 3.6 功率放大器版图设计及仿真 | 第61-66页 |
| 3.6.1 版图设计中应考虑的因素 | 第62-63页 |
| 3.6.2 功率放大器最终版图和后仿真 | 第63-66页 |
| 3.7 功率放大器的测试 | 第66-69页 |
| 3.7.1 小信号测试系统 | 第66-67页 |
| 3.7.2 测试PCB设计 | 第67页 |
| 3.7.3 小信号测试 | 第67-68页 |
| 3.7.4 功率放大器不稳定原因分析 | 第68-69页 |
| 3.8 本章小结 | 第69-70页 |
| 第四章 38GHz SiGe E类功率放大器设计 | 第70-88页 |
| 4.1 设计指标 | 第70页 |
| 4.2 锗硅毫米波功率放大器挑战 | 第70-72页 |
| 4.2.1 有源器件物理特性 | 第70-71页 |
| 4.2.2 无源器件物理特性 | 第71页 |
| 4.2.3 精确的去嵌入技术 | 第71-72页 |
| 4.3 功率放大器电路设计 | 第72页 |
| 4.4 38GHz class E功率放大器实现过程 | 第72-76页 |
| 4.5 class E整体电路结构 | 第76-78页 |
| 4.6 版图设计 | 第78-83页 |
| 4.6.1 有源区版图设计 | 第78-79页 |
| 4.6.2 整体版图设计 | 第79-80页 |
| 4.6.3 版图后仿真结果 | 第80-83页 |
| 4.7 功率放大器的测试 | 第83-87页 |
| 4.7.1 S参数测试 | 第83-85页 |
| 4.7.2 大信号测试 | 第85-86页 |
| 4.7.3 测试总结与分析 | 第86-87页 |
| 4.8 本章小结 | 第87-88页 |
| 第五章 总结与展望 | 第88-90页 |
| 5.1 总结 | 第88-89页 |
| 5.2 展望 | 第89-90页 |
| 参考文献 | 第90-94页 |
| 致谢 | 第94-95页 |
| 作者简介 | 第95-96页 |