单粒子效应电路模拟方法研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-16页 |
| ·课题研究背景 | 第12页 |
| ·课题研究现状 | 第12-14页 |
| ·课题研究内容 | 第14-15页 |
| ·论文结构 | 第15-16页 |
| 第二章 单粒子效应理论体系研究 | 第16-30页 |
| ·辐射效应 | 第16-19页 |
| ·辐射环境 | 第16-17页 |
| ·辐射机理 | 第17-19页 |
| ·单粒子效应 | 第19-23页 |
| ·单粒子效应的分类 | 第19-22页 |
| ·单粒子效应对电路的影响 | 第22-23页 |
| ·单粒子效应模拟方法 | 第23-25页 |
| ·器件级模拟方法 | 第24-25页 |
| ·电路级模拟方法 | 第25页 |
| ·单粒子效应电路加固技术 | 第25-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 单粒子效应注入脉冲分析与建模 | 第30-40页 |
| ·电流源注入脉冲模型分析 | 第30-32页 |
| ·双指数注入脉冲模型 | 第30-32页 |
| ·瞬态注入脉冲模型 | 第32页 |
| ·基于 Weibull 函数的脉冲建模 | 第32-39页 |
| ·模型建立与推导 | 第33-35页 |
| ·模型仿真与验证 | 第35-39页 |
| ·小结 | 第39-40页 |
| 第四章 单粒子效应 SER 建模与仿真 | 第40-66页 |
| ·基本电路 SER 分析 | 第40-47页 |
| ·SRAM 电路SER 分析 | 第41-44页 |
| ·时序逻辑电路单粒子效应 | 第44-46页 |
| ·组合逻辑电路单粒子效应 | 第46-47页 |
| ·SER 算法思想和实现 | 第47-57页 |
| ·三种掩蔽效应 | 第47-49页 |
| ·已有 SER 算法介绍 | 第49-50页 |
| ·基于基本门 SER 算法分析 | 第50-53页 |
| ·基于基本门 SER 算法实现 | 第53-57页 |
| ·SER 算法仿真和验证 | 第57-65页 |
| ·小结 | 第65-66页 |
| 第五章 结论与展望 | 第66-68页 |
| ·本文工作总结 | 第66页 |
| ·本文工作展望 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第73-74页 |
