| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 有序Ge/Si量子点的研究现状 | 第9-16页 |
| 1.2.1 提高自组织生长Ge/Si量子点有序性的方法 | 第9页 |
| 1.2.2 图案衬底上制备有序Ge/Si量子点的研究现状 | 第9-15页 |
| 1.2.3 本课题组制备有序Ge/Si量子点的研究现状 | 第15-16页 |
| 1.3 本论文的主要研究工作 | 第16-17页 |
| 第二章 实验概述 | 第17-31页 |
| 2.1 离子束溅射仪的基本结构及工作原理 | 第17-21页 |
| 2.1.1 离子束溅射腔体的基本结构 | 第17-20页 |
| 2.1.2 离子枪工作原理 | 第20-21页 |
| 2.2 聚苯乙烯纳米球刻蚀Si衬底的相关实验工作 | 第21-25页 |
| 2.2.1 实验所用去离子水的制取 | 第21页 |
| 2.2.2 聚苯乙烯纳米球的自组装排列 | 第21-24页 |
| 2.2.3 聚苯乙烯纳米球刻蚀Si衬底的实验过程 | 第24-25页 |
| 2.2.4 纳米坑形图案衬底的清洗 | 第25页 |
| 2.3 样品表征方法 | 第25-31页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第25-27页 |
| 2.3.2 原子力显微镜(AFM) | 第27-28页 |
| 2.3.3 拉曼光谱(Raman) | 第28-31页 |
| 第三章 聚苯乙烯纳米球模板法溅射制备二维有序量子点阵 | 第31-44页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 十二烷基硫酸钠对聚苯乙烯纳米球成膜质量的影响 | 第31-34页 |
| 3.2.1 实验过程 | 第32-33页 |
| 3.2.2 结果与讨论 | 第33-34页 |
| 3.3 聚苯乙烯纳米球模板法溅射制备二维有序量子点阵 | 第34-43页 |
| 3.3.1 二维有序量子点阵的理想模型及尺寸 | 第34-36页 |
| 3.3.2 二维有序量子点阵的制各及结果分析 | 第36-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 坑形图案衬底上溅射制备有序硅基锗量子点阵 | 第44-64页 |
| 4.1 引言 | 第44页 |
| 4.2 聚苯乙烯纳米球刻蚀法制备二维有序纳米坑形图案 | 第44-47页 |
| 4.3 坑形图案衬底上溅射制备有序Ge/Si量子点 | 第47-50页 |
| 4.3.1 图案化衬底上生长有序Ge岛的成核机理分析 | 第47-49页 |
| 4.3.2 实验样品的制备过程 | 第49-50页 |
| 4.4 实验结果与讨论 | 第50-63页 |
| 4.4.1 生长温度对Ge量子点制备的影响 | 第50-55页 |
| 4.4.2 Si缓冲层厚度对Ge量子点制备的影响 | 第55-61页 |
| 4.4.3 Ge层的变温生长对Ge量子点制备的影响 | 第61-63页 |
| 4.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 总结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-72页 |
| 附录 硕士学位期间发表的文章及参与的项目 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
