| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 脉冲功率技术 | 第9-11页 |
| 1.2.1 脉冲功率系统 | 第9-10页 |
| 1.2.2 脉冲功率开关 | 第10-11页 |
| 1.3 重复频率脉冲功率技术 | 第11-16页 |
| 1.3.1 重复频率脉冲功率技术应用领域 | 第11-13页 |
| 1.3.2 重复频率脉冲功率技术研究现状 | 第13-15页 |
| 1.3.3 重复频率脉冲功率技术发展趋势 | 第15-16页 |
| 1.4 雪崩管简介 | 第16-18页 |
| 1.5 本文主要工作 | 第18-19页 |
| 2 基于SI-GaAs体雪崩样品制备 | 第19-31页 |
| 2.1 SI-GaAs材料特性 | 第19-20页 |
| 2.2 SI-GaAs缺陷中的深能级缺陷 | 第20-21页 |
| 2.3 SI-GaAs中的雪崩倍增机制 | 第21-23页 |
| 2.4 SI-GaAs体雪崩管的设计思想 | 第23-25页 |
| 2.4.1 激光器对SI-GaAs光电导开关的限制 | 第23-24页 |
| 2.4.2 基于PN结的雪崩晶体管耐压能力有限 | 第24页 |
| 2.4.3 利用雪崩触发SI-GaAs导通 | 第24-25页 |
| 2.5 SI-GaAs体雪崩样品制备及其基本电学特性 | 第25-29页 |
| 2.5.1 SI-GaAs的体雪崩样品制备及静态伏安特性测定 | 第25-28页 |
| 2.5.2 利用局部雪崩触发SI-GaAs导通产生高压电脉冲 | 第28-29页 |
| 2.6 本章小结 | 第29-31页 |
| 3 基于SI-GaAs体雪崩样品产生高重频脉冲 | 第31-43页 |
| 3.1 高重频运行实验电路设计 | 第31-37页 |
| 3.1.1 高压整流与放电回路的设计 | 第31-35页 |
| 3.1.2 高重频运行实验结果 | 第35-37页 |
| 3.1.3 结果分析 | 第37页 |
| 3.2 降压运行实验 | 第37-42页 |
| 3.2.1 降低电源电压运行实验 | 第37-38页 |
| 3.2.2 储能电容对输出波形的影响 | 第38-40页 |
| 3.2.3 无储能电容的电路输出波形 | 第40-42页 |
| 3.3 本章小结 | 第42-43页 |
| 4 产生高重频脉冲现象机理分析 | 第43-53页 |
| 4.1 高重频模式下脉冲尖峰的形成机理 | 第43-47页 |
| 4.2 温度对于样品转折电压的影响 | 第47-51页 |
| 4.3 本章小结 | 第51-53页 |
| 5 总结与展望 | 第53-55页 |
| 5.1 研究工作总结 | 第53页 |
| 5.2 展望 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 附录 | 第61页 |
