| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 符号说明 | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-25页 |
| 1.1 电介质 | 第14页 |
| 1.2 铁电和压电材料的两个重要特性 | 第14-18页 |
| 1.2.1 压电性 | 第14-15页 |
| 1.2.2 压电材料的几个重要参数 | 第15-16页 |
| 1.2.3 铁电性 | 第16-18页 |
| 1.3 钛酸铋钙(CaBi_4Ti_4O_(15))无铅压电陶瓷材料 | 第18-19页 |
| 1.4 (In,Nb)掺杂Ti02高介电陶瓷材料 | 第19-20页 |
| 1.5 电子陶瓷的制备工艺 | 第20-22页 |
| 1.6 样品的性能测试 | 第22-23页 |
| 1.7 论文概要 | 第23-25页 |
| 第二章 In补偿对(In,Nb)掺杂TiO_2高介电陶瓷性能的影响 | 第25-34页 |
| 2.1 前言 | 第25页 |
| 2.2 实验过程 | 第25-26页 |
| 2.3 实验结果与分析 | 第26-33页 |
| 2.4 本章结论 | 第33-34页 |
| 第三章 B位(W,Nb)复合取代对CaBi_4Ti_4O_(15)压电陶瓷结构和性能的影响 | 第34-45页 |
| 3.1 前言 | 第34-35页 |
| 3.2 实验过程 | 第35-37页 |
| 3.3 实验结果与分析 | 第37-44页 |
| 3.4 本章结论 | 第44-45页 |
| 第四章 A位(Li,Ce)和B位(W,Nb)同时取代对CaBi_4Ti_4O_(15)压电陶瓷结构和性能的影响 | 第45-54页 |
| 4.1 前言 | 第45页 |
| 4.2 实验过程 | 第45-47页 |
| 4.3 实验结果与分析 | 第47-52页 |
| 4.4 本章结论 | 第52-54页 |
| 第五章 总结与展望 | 第54-56页 |
| 5.1 总结 | 第54-55页 |
| 5.2 展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 发表论文及获奖情况 | 第62-63页 |
| 发表的论文 | 第62页 |
| 所获奖励 | 第62-63页 |
| 附件 | 第63页 |
