基于TDDB效应的PUF研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 选题背景与意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国外研究现状 | 第10-19页 |
| 1.2.1 非电子PUF | 第11-12页 |
| 1.2.2 模拟电路PUF | 第12-13页 |
| 1.2.3 数字电路PUF | 第13-19页 |
| 1.2.4 PUF发展趋势 | 第19页 |
| 1.3 国内研究现状 | 第19-20页 |
| 1.4 本论文的主要内容及结构安排 | 第20-22页 |
| 第二章 PUF的相关概念综述 | 第22-28页 |
| 2.1 PUF简介 | 第22-23页 |
| 2.2 PUF特点 | 第23页 |
| 2.3 PUF应用及局限 | 第23-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 MOS器件TDDB特性研究 | 第28-39页 |
| 3.1 TDDB效应介绍 | 第28页 |
| 3.2 超薄栅氧化层TDDB击穿机理 | 第28-31页 |
| 3.3 TDDB效应测试实验设计 | 第31-37页 |
| 3.3.1 测试方法介绍 | 第31-32页 |
| 3.3.2 测试流程介绍 | 第32-35页 |
| 3.3.3 测试结果特性 | 第35-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章 单片电荷敏感放大器 | 第39-57页 |
| 4.1 单片电荷敏感前置放大器概述 | 第39-41页 |
| 4.2 单片电荷敏感前置放大器概述 | 第41-42页 |
| 4.3 单片电荷敏感前置放大电路基本单元 | 第42-49页 |
| 4.3.1 有源电阻或负载 | 第43-44页 |
| 4.3.2 恒流源电路 | 第44-45页 |
| 4.3.3 CMOS偏置电路 | 第45-46页 |
| 4.3.4 共源共栅放大器 | 第46-47页 |
| 4.3.5 输出级 | 第47-49页 |
| 4.4 普通单片电荷敏感放大器电路分析 | 第49-52页 |
| 4.4.1 电路模拟 | 第51-52页 |
| 4.5 改进型电荷敏感前置放大电路分析 | 第52-56页 |
| 4.5.1 电路模拟 | 第53-56页 |
| 4.6 本章小节 | 第56-57页 |
| 第五章 PUF电路整体介绍及内部构成 | 第57-65页 |
| 5.1 整体电路介绍 | 第57-58页 |
| 5.2 逻辑控制电路介绍 | 第58-61页 |
| 5.2.1 比较器 | 第58-61页 |
| 5.2.2 断电保护管 | 第61页 |
| 5.3 整体逻辑控制电路仿真 | 第61-62页 |
| 5.4 仲裁输出电路介绍 | 第62-64页 |
| 5.4.1 传统仲裁电路 | 第62-63页 |
| 5.4.2 改进的D触发器仲裁电路 | 第63-64页 |
| 5.4.3 仲裁电路仿真设计 | 第64页 |
| 5.5 本章小结 | 第64-65页 |
| 第六章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 6.1 本文工作总结 | 第65页 |
| 6.2 展望 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第74-75页 |
