高电源抑制比带隙基准电压源设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 课题背景及研究目的和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-15页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第15-16页 |
| 第2章 带隙基准的基本原理 | 第16-28页 |
| 2.1 带隙基准的理论基础 | 第16-18页 |
| 2.1.1 负温度系数电压的产生 | 第16-17页 |
| 2.1.2 正温度系数的产生 | 第17-18页 |
| 2.2 带隙基准的指标介绍 | 第18-20页 |
| 2.2.1 温度漂移系数 | 第18页 |
| 2.2.2 电源抑制比 | 第18-19页 |
| 2.2.3 精度 | 第19页 |
| 2.2.4 线性调整率 | 第19页 |
| 2.2.5 噪声 | 第19-20页 |
| 2.2.6 功耗 | 第20页 |
| 2.3 几种经典结构的带隙基准 | 第20-24页 |
| 2.3.1 采用BJT工艺设计的带隙基准 | 第20-22页 |
| 2.3.2 基于CMOS工艺设计的带隙基准 | 第22-24页 |
| 2.4 带隙基准的环路稳定性和环路增益 | 第24-26页 |
| 2.5 放大器失调与带隙基准精度的关系 | 第26-27页 |
| 2.6 本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 带隙基准相关模块的设计 | 第28-43页 |
| 3.1 设计指标 | 第28页 |
| 3.2 放大器的设计 | 第28-35页 |
| 3.2.1 放大器的设计 | 第28-32页 |
| 3.2.2 偏置电路的设置 | 第32-33页 |
| 3.2.3 整体放大器的结构及仿真结果 | 第33-35页 |
| 3.3 基准电路的设计 | 第35-40页 |
| 3.3.1 低输出电压基准电路的实现 | 第35-37页 |
| 3.3.2 低温度漂移系数的设计 | 第37-40页 |
| 3.4 预调节电压的设计 | 第40-41页 |
| 3.5 启动电路的设计 | 第41-42页 |
| 3.6 本章小结 | 第42-43页 |
| 第4章 高电源抑制比带隙基准电压源设计 | 第43-51页 |
| 4.1 电源抑制比的推导和仿真 | 第43-45页 |
| 4.1.1 电源抑制比的推导 | 第43-44页 |
| 4.1.2 带隙基准的仿真 | 第44-45页 |
| 4.2 预调节电压结构 | 第45-46页 |
| 4.3 电路整体结构以及仿真 | 第46-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57页 |
