隧穿晶体管和纳米线晶体管的模型与模拟
| 目录 | 第1-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 引言 | 第6-11页 |
| ·研究的背景和意义 | 第6-7页 |
| ·纳米线晶体管简介 | 第7-8页 |
| ·隧穿晶体管简介 | 第8-10页 |
| ·本论文的主要研究工作及内容安排 | 第10-11页 |
| 第二章 纳米线晶体管的栅介质电学特性 | 第11-32页 |
| ·纳米线晶体管的基本器件物理 | 第11-13页 |
| ·环形栅中的二维隧穿模型 | 第13-18页 |
| ·环形栅的曲率对降低电子隧穿概率的作用 | 第18-20页 |
| ·沟道量子限制效应对栅介质隧穿的影响 | 第20-27页 |
| ·栅极驱动电压的降低 | 第27-28页 |
| ·纳米线晶体管的可靠性分析 | 第28-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 隧穿晶体管的结构优化 | 第32-49页 |
| ·隧穿晶体管的机理分析 | 第32-35页 |
| ·隧穿晶体管的特性 | 第32-33页 |
| ·隧穿模型分析 | 第33-35页 |
| ·本章工作的背景介绍 | 第35页 |
| ·器件结构和电场 | 第35-45页 |
| ·界面陷阱的影响 | 第45-47页 |
| ·尺寸起伏的效应 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 总结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-57页 |
| 附录Ⅰ TFET的Atlas模拟输入文件 | 第57-59页 |
| 附录Ⅱ 公式[2.2.6]的解析积分 | 第59-60页 |
| 附录Ⅲ 有效质量公式表 | 第60-61页 |
| 附录Ⅳ 2.4节物理模型推导 | 第61-63页 |
| 攻读硕士学位期间的论文发表情况 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
