| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-16页 |
| ·隧穿场效应晶体管研究的必要性 | 第7-9页 |
| ·隧穿场效应晶体管的工作原理 | 第9-11页 |
| ·点性隧穿和线性隧穿分析 | 第11-13页 |
| ·能带间隧穿模型的校准 | 第13-16页 |
| 第二章 凹陷沟道结构隧穿场效应晶体管的设计 | 第16-25页 |
| ·引言 | 第16页 |
| ·新型隧穿晶体管的设计与研究 | 第16-24页 |
| ·平面型隧穿晶体管的模拟 | 第18-19页 |
| ·凹陷沟道型隧穿晶体管的模拟 | 第19-21页 |
| ·凹陷沟道型PMOSFET的模拟 | 第21-23页 |
| ·低功耗反相器的设计 | 第23-24页 |
| ·小结 | 第24-25页 |
| 第三章 垂直结构隧穿场效应晶体管的制造 | 第25-36页 |
| ·实验方案设计 | 第25-26页 |
| ·实验工艺校准 | 第26-32页 |
| ·磷扩散与硼扩散的校准 | 第26-28页 |
| ·硅、氧化硅、氮化硅、钉金属等材料刻蚀速率的校准 | 第28-32页 |
| ·硅刻蚀速率及刻蚀特性的校准 | 第28-29页 |
| ·氧化硅刻蚀速率及刻蚀特性的校准 | 第29-30页 |
| ·氮化硅的淀积与刻蚀 | 第30-31页 |
| ·钌金属的淀积与刻蚀 | 第31-32页 |
| ·垂直结构隧穿晶体管的具体制造 | 第32-35页 |
| ·版图的设计与制作 | 第32-33页 |
| ·流片过程具体工艺 | 第33-34页 |
| ·器件测试结果 | 第34-35页 |
| ·小结 | 第35-36页 |
| 第四章 基于隧穿场效应晶体管的嵌入式动态随机存储器设计 | 第36-53页 |
| ·引言 | 第36-39页 |
| ·使用晶体管栅作为存储单元的增益型存储器设计 | 第37-38页 |
| ·基于浮体效应的动态随机存储器设计 | 第38-39页 |
| ·基于隧穿晶体管的浮动结栅型动态随机存储器的新型设计 | 第39-53页 |
| ·浮动结栅型动态随机存储器的结构 | 第40-41页 |
| ·浮动结栅型动态随机存储器的操作原理 | 第41-42页 |
| ·浮动结栅型动态随机存储器的制造流程 | 第42-44页 |
| ·浮动结栅型动态随机存储器的瞬态模拟 | 第44-52页 |
| ·对嵌入在浮动结栅型动态随机存储器中的隧穿晶体管的研究 | 第46-47页 |
| ·浮动结栅型动态随机存储器的电容耦合效应 | 第47-49页 |
| ·结合理论分析对瞬态结果进行验证 | 第49-51页 |
| ·动态随机存储器的干扰和保持特性研究 | 第51-52页 |
| ·结论 | 第52-53页 |
| 第五章 总结与展望 | 第53-55页 |
| 附录 | 第55-71页 |
| 附录1. 平面型隧穿晶体管工艺与器件模拟文件 | 第55-58页 |
| 附录2. 凹陷沟道隧穿晶体管模拟文件 | 第58-63页 |
| 附录3. 浮动结栅型动态随机存储器模拟文件 | 第63-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |
| 硕士阶段完成论文 | 第74-75页 |
| 硕士阶段申请专利 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
