| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 1 绪论 | 第10-24页 |
| ·多孔Si的研究现状 | 第10-12页 |
| ·多孔Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的研究现状 | 第12-22页 |
| ·多孔GaAs的研究现状 | 第12-15页 |
| ·多孔GaP的研究现状 | 第15-17页 |
| ·多孔InP的研究现状 | 第17-22页 |
| ·电化学方法在多孔及微/纳米结构半导体材料制备中的前景 | 第22-23页 |
| ·本论文的研究目的和研究内容 | 第23-24页 |
| 2 HCl溶液中电化学阳极刻蚀制备InP的多孔、微柱和微尖结构 | 第24-43页 |
| ·InP体材料的基本物理化学性质 | 第24-25页 |
| ·电化学阳极刻蚀工艺 | 第25-27页 |
| ·InP的清洗及后处理工艺 | 第25-26页 |
| ·实验装置和实验条件 | 第26-27页 |
| ·InP多孔、微柱和微尖结构的制备 | 第27-39页 |
| ·线性伏安扫描曲线分析 | 第27-28页 |
| ·HCl溶液中线性扫描制备多孔InP | 第28-30页 |
| ·HCl溶液中恒定电压制备多孔InP | 第30-33页 |
| ·HCl溶液中直流稳压电源条件下制备多孔InP | 第33-36页 |
| ·浓HCl溶液中制备InP微柱和微尖 | 第36-39页 |
| ·浓HCl溶液中刻蚀InP的反应机理和微柱、微尖的形成机理 | 第39-42页 |
| ·电化学反应机理 | 第39-40页 |
| ·InP微柱和微尖的形成机理 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 3 NaCl溶液中电化学阳极刻蚀制备多孔InP | 第43-69页 |
| ·NaCl溶液中循环伏安和线性伏安扫描曲线 | 第43-46页 |
| ·NaCl溶液中循环伏安扫描曲线分析 | 第43-44页 |
| ·NaCl溶液中线性扫描曲线分析 | 第44-46页 |
| ·NaCl溶液中线性电压下制备多孔InP | 第46-49页 |
| ·NaCl溶液中的电流-时间曲线分析 | 第49-51页 |
| ·NaCl溶液中恒定电压下制备多孔InP | 第51-61页 |
| ·电化学刻蚀InP反应机理 | 第61-65页 |
| ·孔隙率及单元反应电荷计算 | 第61-63页 |
| ·电化学反应产物的XRD和EDX表征 | 第63-64页 |
| ·电化学反应方程式 | 第64-65页 |
| ·多孔InP的形成机理 | 第65-68页 |
| ·本章小结 | 第68-69页 |
| 4 NaF溶液中电化学阳极刻蚀制备多孔InP | 第69-83页 |
| ·NaBr和NaF溶液中线性扫描曲线分析 | 第69-73页 |
| ·NaF溶液中线性电压下制备多孔InP | 第73-77页 |
| ·NaF溶液中电流-时间曲线分析 | 第77-79页 |
| ·NaF溶液中恒定电压下制备多孔InP | 第79-82页 |
| ·多孔InP的形成机理 | 第82页 |
| ·本章小结 | 第82-83页 |
| 5 HCl溶液中阴极极化制备多孔InP | 第83-92页 |
| ·循环伏安扫描曲线分析 | 第83-84页 |
| ·恒定电压下阴极极化制备多孔InP | 第84-88页 |
| ·恒定电压下阴极极化电流-时间关系曲线 | 第84-85页 |
| ·阴极极化制备多孔InP | 第85-88页 |
| ·阴极极化过程中的电化学反应机理 | 第88-89页 |
| ·阴极极化条件下多孔InP的形成机理 | 第89-91页 |
| ·本章小结 | 第91-92页 |
| 6 InP衬底上电化学沉积ZnO薄膜 | 第92-97页 |
| ·实验装置及实验条件 | 第92-93页 |
| ·线性伏安扫描曲线分析及ZnO薄膜的制备 | 第93-94页 |
| ·ZnO薄膜的表征 | 第94-96页 |
| ·XRD表征 | 第94-95页 |
| ·表面形貌SEM表征 | 第95页 |
| ·PL谱表征 | 第95-96页 |
| ·本章小结 | 第96-97页 |
| 结论 | 第97-99页 |
| 创新点摘要 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-109页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第109-110页 |
| 致谢 | 第110-111页 |
