| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-38页 |
| ·微机电系统 | 第11-12页 |
| ·UGA技术 | 第12-13页 |
| ·准LIGA技术 | 第13-16页 |
| ·UV-LIGA(Ultraviolet-LIGA)技术 | 第14-15页 |
| ·DEM技术 | 第15-16页 |
| ·Laser-LIGA技术 | 第16页 |
| ·课题背景与研究意义 | 第16-18页 |
| ·光刻仿真研究现状 | 第18-26页 |
| ·DILL模型 | 第19-20页 |
| ·MACK显影模型 | 第20页 |
| ·有限时域差分法 | 第20-21页 |
| ·基于标量波菲涅尔衍射方法 | 第21-22页 |
| ·光刻仿真软件 | 第22-25页 |
| ·当前光刻仿真中存在的问题 | 第25-26页 |
| ·本论文的主要工作 | 第26-28页 |
| 参考文献 | 第28-38页 |
| 第2章 基于部分相干光理论的光刻模型 | 第38-62页 |
| ·光刻中光传播理论基础 | 第38-44页 |
| ·光的标量衍射理论 | 第38-41页 |
| ·部分相干光理论 | 第41-44页 |
| ·利用霍普金斯公式以及互强度的定义求掩模平面的互强度 | 第44-53页 |
| ·接近式光刻的照明系统 | 第44-46页 |
| ·掩模平面上任一点对复相干度的计算 | 第46-52页 |
| ·掩模平面光场相干度的计算结果 | 第52-53页 |
| ·利用范西特—泽尼克定理以及互强度传播定理求掩模平面的互强度 | 第53-58页 |
| ·蝇眼透镜入射平面上任两点的互强度 | 第54-55页 |
| ·掩模平面上任一点对的复相干度 | 第55-57页 |
| ·掩模平面光场相干度的计算结果 | 第57-58页 |
| ·光刻胶平面的光强分布 | 第58-59页 |
| ·两个模型结果的比较 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-62页 |
| 第3章 表面光强分布规律及影响因素 | 第62-79页 |
| ·光刻胶上某一点的光强的变化规律 | 第62-65页 |
| ·线条图形的光强分布规律 | 第65-67页 |
| ·方孔图形的光强分布及其边角轮廓 | 第67-69页 |
| ·影响光强分布的因素 | 第69-77页 |
| ·掩模到光刻胶之间的间隙的影响 | 第69-71页 |
| ·掩模畸变的影响 | 第71-73页 |
| ·相邻图形之间的影响 | 第73-75页 |
| ·图形内、外角处光强分布的的差异 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-79页 |
| 第4章 部分相干光理论模型的改进 | 第79-89页 |
| ·掩模平面上光场相干性的近似 | 第79-82页 |
| ·改进的计算模型 | 第82-88页 |
| 参考文献 | 第88-89页 |
| 第5章 接近式深度光刻的仿真 | 第89-111页 |
| ·光在吸收介质中的传播 | 第89-90页 |
| ·光吸收的朗伯定律 | 第90-93页 |
| ·基于部分相干光理论的深度光刻模型 | 第93-104页 |
| ·光经空气间隙到达光刻胶平面 | 第93-97页 |
| ·光经光刻胶内部传播到达衬底平面 | 第97-101页 |
| ·光在光刻胶内部传播时能量损失和和相位变化的考虑 | 第101-104页 |
| ·线条图形的深度光刻模拟 | 第104-106页 |
| ·微柱图形的深度光刻模拟 | 第106-110页 |
| 参考文献 | 第110-111页 |
| 第6章 基于web的协同MEMS CAD系统及其单元模块 | 第111-121页 |
| ·系统框架 | 第112-113页 |
| ·设计平台 | 第113-115页 |
| ·光刻仿真 | 第115-118页 |
| ·利用光刻仿真数据进行微结构实体建模 | 第115-117页 |
| ·光刻误差仿真 | 第117-118页 |
| ·设计优化 | 第118-119页 |
| 参考文献 | 第119-121页 |
| 第7章 论文总结 | 第121-124页 |
| ·论文的主要工作和结论 | 第121-122页 |
| ·论文的主要特色及创新点 | 第122-123页 |
| ·进一步研究的工作展望 | 第123-124页 |
| 攻读博士期间发表的论文 | 第124-125页 |
| 致谢 | 第125页 |
