| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 铝互连与铜互连 | 第8-9页 |
| 1.3 双大马士革工艺与化学机械平坦化 | 第9-11页 |
| 1.4 国内外研究现状 | 第11-12页 |
| 1.5 多层铜布线CMP精抛的研究进展 | 第12页 |
| 1.6 课题的研究内容及意义 | 第12-14页 |
| 第二章 铜化学机械平坦化理论依据 | 第14-20页 |
| 2.1 螯合理论 | 第14-16页 |
| 2.2 优先吸附理论 | 第16-17页 |
| 2.2.1 表面能 | 第16页 |
| 2.2.2 表面吸附 | 第16页 |
| 2.2.3 优先吸附 | 第16-17页 |
| 2.3 自钝化理论 | 第17-20页 |
| 第三章 化学CMP机械平坦化工艺设备及材料 | 第20-30页 |
| 3.1 实验设备 | 第20-25页 |
| 3.1.1 抛光机 | 第20-21页 |
| 3.1.2 原子力显微镜(AFM) | 第21页 |
| 3.1.3 表面张力测定仪 | 第21-22页 |
| 3.1.4 激光粒度仪 | 第22-23页 |
| 3.1.5 4DFourPointProbe电阻率测试仪 | 第23-24页 |
| 3.1.6 台阶仪 | 第24页 |
| 3.1.7 电子分析天平 | 第24-25页 |
| 3.1.8 pH计 | 第25页 |
| 3.2 实验材料 | 第25-29页 |
| 3.2.1 抛光垫及晶圆片 | 第26页 |
| 3.2.2 化学试剂 | 第26-29页 |
| 3.3 本章小结 | 第29-30页 |
| 第四章 抛光液稳定性的研究 | 第30-40页 |
| 4.1 AEO-15对硅溶胶稳定性的影响 | 第30-32页 |
| 4.1.1 AEO-15对硅溶胶颗粒粒径的影响 | 第30-31页 |
| 4.1.2 AEO-15对硅溶胶水溶液表面张力的影响 | 第31页 |
| 4.1.3 AEO-15对硅溶胶水溶液粘度的影响 | 第31-32页 |
| 4.2 多因素作用下AEO-15对抛光液稳定性的影响 | 第32-35页 |
| 4.2.1 AEO-15对抛光液颗粒粒径的影响 | 第32-33页 |
| 4.2.2 AEO-15对抛光液Zeta电位影响 | 第33-34页 |
| 4.2.3 AEO-15对抛光液粘度的影响 | 第34-35页 |
| 4.2.4 AEO-15对抛光液表面张力的影响 | 第35页 |
| 4.3 其他组分对抛光液稳定性的影响 | 第35-39页 |
| 4.3.1 含FA/OII型螯合剂的抛光液稳定性 | 第35-36页 |
| 4.3.2 含有甘氨酸型络合剂的抛光液稳定性 | 第36-39页 |
| 4.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第五章 含有FA/OII型螯合剂抛光液的平坦化的研究 | 第40-50页 |
| 5.1 AEO-15对铜精抛速率及表面一致性的影响 | 第40-42页 |
| 5.2 增膜剂对铜精抛速率及表面一致性的影响 | 第42-43页 |
| 5.3 FA/OII型螯合剂对铜精抛速率及表面一致性的影响 | 第43-45页 |
| 5.4 氧化剂对铜精抛速率及表面一致性的影响 | 第45-47页 |
| 5.5 本章小结 | 第47-50页 |
| 第六章 有甘氨酸络合剂的抛光液平坦化的研究 | 第50-56页 |
| 6.1 单因素实验 | 第50-54页 |
| 6.1.1 SiO2对铜、钽去除速率的影响 | 第50-51页 |
| 6.1.2 AEO-15对铜、钽去除速率的影响 | 第51-52页 |
| 6.1.3 增膜剂对铜、钽去除速率的影响 | 第52页 |
| 6.1.4 甘氨酸络合剂对铜、钽去除速率的影响 | 第52-53页 |
| 6.1.5 氧化剂对铜、钽去除速率的影响 | 第53-54页 |
| 6.2 平坦化实验 | 第54-55页 |
| 6.3 本章小结 | 第55-56页 |
| 第七章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 7.1 全文总结 | 第56-57页 |
| 7.2 展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
