MCU的ESD测试方法改进及其IO防护设计研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 研究背景及需求 | 第8-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-15页 |
| 1.3 论文的主要研究内容与章节安排 | 第15-17页 |
| 第2章 ESD测试方法 | 第17-26页 |
| 2.1 ESD测试模型 | 第17-21页 |
| 2.1.1 人体模型(HBM) | 第17-19页 |
| 2.1.2 机器模型(MM) | 第19-20页 |
| 2.1.3 带电器件模型(CDM) | 第20页 |
| 2.1.4 ESD脉冲波形及其参数对比 | 第20-21页 |
| 2.2 ESD测试方法 | 第21-26页 |
| 2.2.1 系统级ESD测试 | 第21-23页 |
| 2.2.2 芯片级ESD测试 | 第23-25页 |
| 2.2.3 芯片级上电ESD(PESD)测试 | 第25-26页 |
| 第3章 芯片级PESD测试方法的具体实现 | 第26-41页 |
| 3.1 测试环境 | 第26页 |
| 3.2 测试平台搭建 | 第26-27页 |
| 3.3 PESD测试软硬件设计与实现 | 第27-33页 |
| 3.3.0 PESD测试板硬件电路设计 | 第27-30页 |
| 3.3.1 PESD测试PCB板设计 | 第30-32页 |
| 3.3.2 PESD测试软件设计与实现 | 第32-33页 |
| 3.4 PESD测试流程及测试结果 | 第33-41页 |
| 3.4.1 测试基本流程 | 第33-34页 |
| 3.4.2 失效类型 | 第34-36页 |
| 3.4.3 测试结果等级分类 | 第36页 |
| 3.4.4 测试结果 | 第36-41页 |
| 第4章 芯片级PESD方法改进方法 | 第41-48页 |
| 4.1 socket基本结构 | 第41-42页 |
| 4.2 测试验证平台搭建 | 第42页 |
| 4.3 静电枪ESD脉冲介绍 | 第42-43页 |
| 4.4 测试方案及测试结果 | 第43-47页 |
| 4.4.1 测试方案 | 第43页 |
| 4.4.2 ESD静电枪带来的差异性 | 第43-46页 |
| 4.4.3 ESD脉冲注入角度带来的差异性 | 第46页 |
| 4.4.4 socket带来的差异性 | 第46-47页 |
| 4.5 小结 | 第47-48页 |
| 第5章 MCU的ESD保护电路研究 | 第48-63页 |
| 5.1 片上ESD防护 | 第48-51页 |
| 5.2 闩锁效应 | 第51-53页 |
| 5.3 ESD电源钳位电路及其仿真 | 第53-63页 |
| 第6章 总结与展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 附录A | 第70-73页 |
| 在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第73-74页 |
| 个人简历 | 第74页 |
