首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--微电子学、集成电路(IC)论文--一般性问题论文--制造工艺论文

基于Low K介质QFN铜线键合缺陷分析与可靠性的改善

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-9页
全文图目录第10-12页
全文表目录第12-13页
目录第13-15页
第一章 研究意义及国际现状第15-21页
    1.1 研究背景第15-17页
    1.2 立题理论依据第17-19页
    1.3 本文研究的主要内容第19-21页
第二章 铜线键合技术基础第21-28页
    2.1 铜线材料的分类第22页
        2.1.1 纯铜线第22页
        2.1.2 镀钯铜线第22页
    2.2 铜线的性能参数指标第22-23页
    2.3 铜线键台工艺分析第23-24页
    2.4 键合保护气体的选择第24-27页
        2.4.1 纯氮气体第25页
        2.4.2 氮氢混合气体第25-26页
        2.4.3 惰性保护气体的流量评估第26-27页
    2.5 本章小结第27-28页
第三章 铜线键合的失效分析及解决措施第28-45页
    3.1 失效机理介绍第28-31页
        3.1.1 Al残留不足和挤出短路第28页
        3.1.2 焊球脱焊第28页
        3.1.3 ILD断层原理分析第28-31页
    3.2 金属焊盘设计的改善措施第31-38页
        3.2.1 金属焊盘的选择第31页
        3.2.2 金属焊盘的设计第31-35页
        3.2.3 焊盘节距的设计第35页
        3.2.4 晶圆分类第35-38页
    3.3 氮气和氮氢混台气体的选择第38-41页
    3.4 焊线的选择第41-42页
    3.5 键合参数的优化第42-44页
    3.6 本章小结第44-45页
第四章 铜线键合工艺优化研究第45-55页
    4.1 实验部分第45-49页
        4.1.1 筛选优化参数因子第45-48页
        4.1.2 参数优化试验验证第48-49页
    4.2 实验验证部分第49-54页
        4.2.1 键合优化参数验证第49-51页
        4.2.2 湿气老化实验验证第51-53页
        4.2.3 优化后铜线与金线键合量产良率比较第53-54页
    4.3 本章小结第54-55页
第五章 全文总结及后续工作第55-57页
    5.1 全文总结及创新点第55-56页
    5.2 后续研究工作第56-57页
致谢第57-58页
攻读硕士学位期间已发表的论文或专利第58-59页
全文参考文献第59-63页

论文共63页,点击 下载论文
上一篇:基于Android移动终端的U盘系统的设计与实现
下一篇:中国养老地产发展的现状及政策建议