大功率半导体激光器静电损毁机制研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 半导体激光器的发展及应用 | 第9-10页 |
| 1.2 半导体激光器的损毁方式 | 第10-13页 |
| 1.3 半导体激光器的静电特性 | 第13-16页 |
| 1.3.1 静电的产生及种类 | 第13-15页 |
| 1.3.2 静电对大功率半导体激光器的危害 | 第15-16页 |
| 1.4 本文的研究意义和内容 | 第16-17页 |
| 第2章 大功率半导体激光器的原理 | 第17-27页 |
| 2.1 大功率半导体激光器的工作原理 | 第17-20页 |
| 2.1.1 分布反转和增益 | 第17-19页 |
| 2.1.2 阈值和谐振腔 | 第19-20页 |
| 2.2 大功率半导体激光器的结构 | 第20-22页 |
| 2.3 大功率半导体激光器的I-V、I-P特性 | 第22-26页 |
| 2.3.1 大功率半导体激光器的I-V特性 | 第22-24页 |
| 2.3.2 大功率半导体激光器的I-P特性 | 第24-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 大功率半导体激光器的静电打击实验 | 第27-39页 |
| 3.1 静电打击平台及实验设计 | 第27-33页 |
| 3.1.1 静电打击器件制备 | 第27-28页 |
| 3.1.2 器件的封装 | 第28-31页 |
| 3.1.3 静电打击实验 | 第31-33页 |
| 3.2 静电打击测试 | 第33-37页 |
| 3.3 本章小结 | 第37-39页 |
| 第4章 大功率半导体激光器的静电失效分析 | 第39-51页 |
| 4.1 未镀膜器件失效分析 | 第39-45页 |
| 4.1.1 反向ESD失效分析 | 第39-43页 |
| 4.1.2 正向ESD失效分析 | 第43-45页 |
| 4.2 腔面镀膜器件失效分析 | 第45-48页 |
| 4.3 大功率半导体激光器的静电失效分析 | 第48-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第5章 大功率半导体激光器的模拟分析和静电防护 | 第51-61页 |
| 5.1 器件模拟 | 第51-56页 |
| 5.1.1 器件结构 | 第51-52页 |
| 5.1.2 器件模拟程序 | 第52-55页 |
| 5.1.3 器件电场分析 | 第55-56页 |
| 5.2 静电防护措施 | 第56-59页 |
| 5.2.1 改善器件结构 | 第56-57页 |
| 5.2.2 改善工艺 | 第57-58页 |
| 5.2.3 静电防护措施 | 第58-59页 |
| 5.3 本章小结 | 第59-61页 |
| 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文和申请专利情况 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
