| 中文摘要 | 第3-4页 |
| 英文摘要 | 第4页 |
| 1 绪论 | 第7-13页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第7-8页 |
| 1.2 研究历史及现状 | 第8-9页 |
| 1.3 研究内容 | 第9-10页 |
| 1.4 论文结构与安排 | 第10-13页 |
| 2 亚阈值区MOS基准电压源理论分析 | 第13-33页 |
| 2.1 MOSFET亚阈值区特性分析 | 第13-26页 |
| 2.1.1 典型MOSFET结构 | 第13-14页 |
| 2.1.2 MOSFET的阈值电压V_(th) | 第14-19页 |
| 2.1.3 MOSFET阈值电压V_(th)的温度特性 | 第19-21页 |
| 2.1.4 亚阈值区MOSFET的I-V特性 | 第21-23页 |
| 2.1.5 亚阈值区MOS栅源电压V_(gs)温度特性 | 第23-26页 |
| 2.2 CMOS基准电压源基本原理 | 第26-27页 |
| 2.3 CMOS基准源主要性能指标 | 第27-29页 |
| 2.4 超低功耗电压基准的设计思路 | 第29-32页 |
| 2.4.1 全MOSFET结构 | 第29页 |
| 2.4.2 电压模基准 | 第29-30页 |
| 2.4.3 补偿方式的选择 | 第30-31页 |
| 2.4.4 整体电路构架 | 第31-32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 3 全MOS超低功耗基准电压源设计 | 第33-55页 |
| 3.1 电路结构设计 | 第33-48页 |
| 3.1.1 纳安电流偏置电路设计 | 第33-40页 |
| 3.1.2 CTAT电压产生电路设计 | 第40-43页 |
| 3.1.3 PTAT电压补偿电路设计 | 第43-47页 |
| 3.1.4 启动电路设计 | 第47-48页 |
| 3.1.5 基准输出电压V_(ref1) | 第48页 |
| 3.2 电路仿真分析 | 第48-52页 |
| 3.2.1 直流特性仿真 | 第48-51页 |
| 3.2.2 交流特性仿真 | 第51-52页 |
| 3.2.3 瞬态特性仿真 | 第52页 |
| 3.3 本章小结 | 第52-55页 |
| 4 基准电路的改进与优化 | 第55-71页 |
| 4.1 电路结构设计 | 第55-63页 |
| 4.1.1 一种结构新颖的纳安电流偏置电路设计 | 第55-58页 |
| 4.1.2 CTAT电压产生电路设计 | 第58-59页 |
| 4.1.3 PTAT电压补偿模块的改进 | 第59-62页 |
| 4.1.4 启动电路设计 | 第62页 |
| 4.1.5 整体结构及基准输出 | 第62-63页 |
| 4.2 整体电路仿真分析 | 第63-69页 |
| 4.2.1 直流特性仿真 | 第63-66页 |
| 4.2.2 交流特性仿真 | 第66-67页 |
| 4.2.3 启动电路瞬态仿真 | 第67页 |
| 4.2.4 蒙特卡洛仿真分析 | 第67-69页 |
| 4.3 本章小结 | 第69-71页 |
| 5 版图设计及后仿真 | 第71-77页 |
| 5.1 版图设计规则 | 第71-72页 |
| 5.2 MOS管的匹配 | 第72-73页 |
| 5.3 低功耗基准电压源版图 | 第73页 |
| 5.4 电路后仿真 | 第73-75页 |
| 5.5 本章小结 | 第75-77页 |
| 6 总结与展望 | 第77-79页 |
| 6.1 总结 | 第77页 |
| 6.2 展望 | 第77-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-85页 |
| 附录 | 第85-87页 |
| A．作者在攻读学位期间发表的论文目录 | 第85-86页 |
| B．式 3.14 的求导及近似 | 第86-87页 |