| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 课题背景 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-14页 |
| 1.2.1 宽温度范围和低温度系数 | 第10-12页 |
| 1.2.2 高电源抑制比 | 第12-13页 |
| 1.2.3 其他指标 | 第13-14页 |
| 1.3 论文研究内容与设计指标 | 第14-15页 |
| 1.4 论文组织结构 | 第15-17页 |
| 第二章 宽温度全MOS电压基准源电路工作原理 | 第17-31页 |
| 2.1 CMOS工艺 | 第17页 |
| 2.2 CMOS工艺器件 | 第17-21页 |
| 2.2.1 MOSFET | 第17-19页 |
| 2.2.2 电阻 | 第19-20页 |
| 2.2.3 电容 | 第20-21页 |
| 2.3 与温度相关的参数温度特性分析 | 第21-23页 |
| 2.3.1 阈值电压的温度特性分析 | 第21页 |
| 2.3.2 MOS管栅源极电压V_(GS)的温度特性分析 | 第21-23页 |
| 2.4 宽温度全MOS电压基准源电路原理分类及分析 | 第23-28页 |
| 2.4.1 基于不同阀值电压构建的全MOS电压基准源 | 第24-25页 |
| 2.4.2 基于栅源极电压线性差补偿的全MOS电压基准源 | 第25-26页 |
| 2.4.3 基于阈值电压和载流子迁移率构建的全MOS电压基准源 | 第26-27页 |
| 2.4.4 基于阈值电压和热电压构建的全MOS电压基准源 | 第27-28页 |
| 2.5 宽温度全MOS电压基准源结构分析与选择 | 第28-29页 |
| 2.6 本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 宽温度全MOS电压基准源电路设计 | 第31-59页 |
| 3.1 宽温度全MOS电压基准源整体架构 | 第31-32页 |
| 3.2 宽温度全MOS电压基准源电路设计 | 第32-49页 |
| 3.2.1 全MOS电压基准源设计 | 第32-37页 |
| 3.2.2 宽温度电路设计 | 第37-42页 |
| 3.2.3 PSRR提高电路设计 | 第42-48页 |
| 3.2.4 设计考虑因素 | 第48-49页 |
| 3.3 宽温度全MOS电压基准源整体电路与仿真 | 第49-57页 |
| 3.3.1 输出特性仿真 | 第50-51页 |
| 3.3.2 温度特性仿真 | 第51-52页 |
| 3.3.3 电源抑制比仿真 | 第52-53页 |
| 3.3.4 其他指标仿真 | 第53-57页 |
| 3.3.5 仿真结果分析 | 第57页 |
| 3.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第四章 版图设计及后仿真 | 第59-71页 |
| 4.1 版图设计 | 第59-62页 |
| 4.1.1 可靠性 | 第59-60页 |
| 4.1.2 匹配性 | 第60-61页 |
| 4.1.3 寄生参数 | 第61-62页 |
| 4.1.4 整体版图设计 | 第62页 |
| 4.2 版图后仿真 | 第62-70页 |
| 4.2.1 输出特性仿真 | 第63-64页 |
| 4.2.2 温度特性仿真 | 第64页 |
| 4.2.3 电源抑制比仿真 | 第64-66页 |
| 4.2.4 其他指标仿真 | 第66-69页 |
| 4.2.5 整体电路性能对比分析 | 第69-70页 |
| 4.3 本章小结 | 第70-71页 |
| 第五章 总结与展望 | 第71-73页 |
| 5.1 总结 | 第71-72页 |
| 5.2 展望 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 作者简介 | 第79页 |
