| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 MOSFET器件的发展现状 | 第11-13页 |
| 1.2 隧穿晶体管发展与国内外研究现状 | 第13-16页 |
| 1.3 隧穿晶体管的物理原理 | 第16-21页 |
| 1.3.1 带带隧穿原理 | 第16-17页 |
| 1.3.2 隧穿晶体管的工作原理 | 第17-21页 |
| 1.4 本文主要工作和章节安排 | 第21-23页 |
| 第2章 非对称双栅隧穿晶体管的研究 | 第23-35页 |
| 2.1 引言 | 第23-24页 |
| 2.2 非对称双栅隧穿晶体管的结构及仿真参数 | 第24-25页 |
| 2.3 非对称双栅隧穿晶体管的工作机制 | 第25-27页 |
| 2.4 非对称双栅隧穿晶体管的仿真结果与分析 | 第27-33页 |
| 2.4.1 ADG-TFET转移特性 | 第27-28页 |
| 2.4.2 P+pocket区和Intrinsic区的厚度和长度的优化 | 第28-30页 |
| 2.4.3 ADG-TFET底栅栅介质HfO_2长度的优化 | 第30-32页 |
| 2.4.4 P+pocket区掺杂方式对ADG-TFET器件特性的影响 | 第32-33页 |
| 2.5 非对称双栅隧穿晶体管的制造工艺流程 | 第33-34页 |
| 2.6 本章小结 | 第34-35页 |
| 第3章 超薄沟道凹槽隧穿晶体管的研究 | 第35-45页 |
| 3.1 引言 | 第35-36页 |
| 3.2 器件结构及仿真参数 | 第36-37页 |
| 3.3 器件的仿真结果和分析 | 第37-43页 |
| 3.3.1 转移特性 | 第37-39页 |
| 3.3.2 侧墙材料的介电常数对TSG-TFET器件电学特性的影响 | 第39-40页 |
| 3.3.3 侧墙材料的宽度对TSG-TFET电学特性的影响 | 第40-41页 |
| 3.3.4 特征尺寸缩小对器件电学特性的影响 | 第41-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 第4章 肖特基结隧穿晶体管的研究 | 第45-56页 |
| 4.1 引言 | 第45-46页 |
| 4.2 器件结构及仿真参数 | 第46页 |
| 4.3 器件的工作机理 | 第46-47页 |
| 4.4 器件的仿真结果及分析 | 第47-55页 |
| 4.4.1 转移特性 | 第47-49页 |
| 4.4.2 pocket区结构参数的波动对电学特性的影响 | 第49-50页 |
| 4.4.3 肖特基势垒高度对ASD-TFET开关特性的影响 | 第50-52页 |
| 4.4.4 ASD-TFET器件pocket区参数优化 | 第52-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
