| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 CMOS器件的研究背景 | 第10-14页 |
| 1.1.1 器件的栅极控制能力 | 第11页 |
| 1.1.2 输出电流 | 第11-12页 |
| 1.1.3 电容 | 第12页 |
| 1.1.4 功率密度 | 第12-13页 |
| 1.1.5 参数波动 | 第13-14页 |
| 1.2 CMOS器件的研究进展 | 第14-15页 |
| 1.3 无结器件(Junctionless)的介绍 | 第15-20页 |
| 1.3.1 无结器件的优势 | 第15-17页 |
| 1.3.2 近几年有关无结器件的研究 | 第17-18页 |
| 1.3.3 无结器件仍然存在的一些问题 | 第18-20页 |
| 1.4 论文各章结构 | 第20-21页 |
| 第2章 非对称双栅无结器件设计与仿真 | 第21-33页 |
| 2.1 无结器件的电学特性 | 第21-24页 |
| 2.1.1 无结器件电学特性介绍 | 第21-23页 |
| 2.1.2 无结器件的参数波动性 | 第23-24页 |
| 2.2 非对称双栅无结器件的结构与设计 | 第24-27页 |
| 2.2.1 非对称双栅无结器件的结构 | 第24-25页 |
| 2.2.2 非对称双栅无结器件的设计 | 第25-27页 |
| 2.3 非对称双栅无结器件的仿真与特性研究 | 第27-32页 |
| 2.3.1 仿真物理模型校准 | 第27-28页 |
| 2.3.2 非对称双栅无结器件的电学特性 | 第28-30页 |
| 2.3.3 非对称双栅无结器件的参数波动性 | 第30-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第3章 P~+侧墙无结器件设计与仿真 | 第33-44页 |
| 3.1 多栅纳米线结构SOI无结器件 | 第33-36页 |
| 3.1.1 多栅纳米线结构SOI器件的优势 | 第33-34页 |
| 3.1.2 无结器件的侧墙研究 | 第34-36页 |
| 3.2 P~+侧墙三栅纳米线无结器件的结构与设计 | 第36-40页 |
| 3.2.1 P~+侧墙三栅纳米线无结器件结构 | 第36-37页 |
| 3.2.2 P~+侧墙无结器件的设计 | 第37-40页 |
| 3.3 P~+侧墙无结器件的仿真与特性研究 | 第40-42页 |
| 3.3.1 P~+侧墙无结器件的电学特性 | 第40-42页 |
| 3.3.2 P~+侧墙无结器件的阈值电压稳定性 | 第42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-44页 |
| 第4章 非均匀掺杂沟道双栅无结器件设计与仿真 | 第44-56页 |
| 4.1 无结器件的单粒子辐射效应 | 第44-47页 |
| 4.1.1 辐射效应介绍 | 第44页 |
| 4.1.2 无结器件的单粒子辐射效应 | 第44-47页 |
| 4.2 非均匀掺杂沟道无结器件的结构与设计 | 第47-50页 |
| 4.2.1 非均匀掺杂沟道无结器件结构 | 第47-48页 |
| 4.2.2 非均匀掺杂沟道无结器件设计 | 第48-50页 |
| 4.3 非均匀掺杂沟道无结器件的辐射加固特性 | 第50-55页 |
| 4.3.1 非均匀掺杂沟道无结器件单粒子辐射特性研究 | 第50-53页 |
| 4.3.2 器件结构属性变化后辐射特性研究 | 第53-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |