集成电路工艺偏差的片上检测与应用
| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第1章 绪论 | 第15-30页 |
| 1.1 研究背景 | 第15-21页 |
| 1.1.1 工艺偏差检测的必要性 | 第16-20页 |
| 1.1.2 工艺偏差的应用价值 | 第20-21页 |
| 1.2 研究现状 | 第21-27页 |
| 1.2.1 工艺偏差的研究现状 | 第21-22页 |
| 1.2.2 时序参数测量的研究现状 | 第22-23页 |
| 1.2.3 物理不可克隆函数的研究现状 | 第23-27页 |
| 1.3 研究内容和主要贡献 | 第27-28页 |
| 1.3.1 片上电容阵列测量 | 第27页 |
| 1.3.2 片上高精度时序参数测量 | 第27-28页 |
| 1.3.3 物理不可克隆散列函数 | 第28页 |
| 1.4 论文的组织结构 | 第28-30页 |
| 第2章 片上电容阵列测量 | 第30-62页 |
| 2.1 引言 | 第30-31页 |
| 2.2 电容测量方法 | 第31-37页 |
| 2.2.1 基于充放电的电容测量基本结构 | 第31-34页 |
| 2.2.2 无电荷注入误差的电容测量结构 | 第34-36页 |
| 2.2.3 采用正交时钟的电压依赖型电容测量结构 | 第36-37页 |
| 2.3 设计与实现 | 第37-47页 |
| 2.3.1 芯片系统设计 | 第38-42页 |
| 2.3.2 测量结构和待测单元设计 | 第42-44页 |
| 2.3.3 芯片版图实现 | 第44-47页 |
| 2.4 误差的理论分析 | 第47-50页 |
| 2.4.1 系统误差分析 | 第47-49页 |
| 2.4.2 随机误差分析 | 第49-50页 |
| 2.5 测量与验证 | 第50-61页 |
| 2.5.1 电容偏差特性 | 第50-55页 |
| 2.5.2 物理结构对电容测量的影响 | 第55-58页 |
| 2.5.3 测量的精度 | 第58-61页 |
| 2.5.4 测量的电压特性 | 第61页 |
| 2.6 本章小结 | 第61-62页 |
| 第3章 片上高精度时序参数测量 | 第62-85页 |
| 3.1 引言 | 第62-63页 |
| 3.2 片上示波技术 | 第63-67页 |
| 3.2.1 采样原理 | 第64-66页 |
| 3.2.2 采样的技术实现 | 第66-67页 |
| 3.3 设计与实现 | 第67-78页 |
| 3.3.1 芯片系统设计 | 第67-68页 |
| 3.3.2 功能单元设计 | 第68-75页 |
| 3.3.3 芯片版图实现 | 第75-76页 |
| 3.3.4 非周期信号测量系统 | 第76-78页 |
| 3.4 测量与分析 | 第78-84页 |
| 3.4.1 上升沿时间和下降沿时间测量 | 第79-80页 |
| 3.4.2 建立时间和保持时间测量 | 第80-84页 |
| 3.5 本章小结 | 第84-85页 |
| 第4章 物理不可克隆散列函数 | 第85-107页 |
| 4.1 模型与分析 | 第85-91页 |
| 4.1.1 物理不可克隆散列函数的建模 | 第86-88页 |
| 4.1.2 物理不可克隆散列函数的信息理论分析 | 第88-91页 |
| 4.2 设计与实现 | 第91-98页 |
| 4.2.1 芯片系统设计 | 第91-92页 |
| 4.2.2 功能单元设计 | 第92-97页 |
| 4.2.3 芯片版图实现 | 第97-98页 |
| 4.3 测量与评估 | 第98-106页 |
| 4.3.1 单轮操作时的特性评估 | 第98-104页 |
| 4.3.2 多轮操作时的特性评估 | 第104-106页 |
| 4.4 本章小结 | 第106-107页 |
| 第5章 总结与展望 | 第107-110页 |
| 5.1 论文总结 | 第107-108页 |
| 5.2 工作展望 | 第108-110页 |
| 参考文献 | 第110-118页 |
| 作者简历以及在学期间所取得的科研成果 | 第118页 |
