半导体器件与集成电路的ESD防护技术研究与实现
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| ·课题研究背景及意义 | 第8页 |
| ·ESD模式及测试方法 | 第8-12页 |
| ·ESD模式 | 第8-11页 |
| ·ESD的测试方法 | 第11-12页 |
| ·ESD保护的研究现状 | 第12-13页 |
| ·本文研究内容及结构 | 第13-14页 |
| 第2章 ESD及其防护原理 | 第14-20页 |
| ·ESD及其失效原理 | 第14-17页 |
| ·静电放电失效机理 | 第14-16页 |
| ·ESD损伤的敏感结构 | 第16-17页 |
| ·ESD防护的一般方法 | 第17-19页 |
| ·器件自身结构的ESD防护考量 | 第17-18页 |
| ·静电放电保护模块 | 第18-19页 |
| ·本章小结 | 第19-20页 |
| 第3章 器件的结构与仿真实现 | 第20-30页 |
| ·器件的结构及工艺流程 | 第20-21页 |
| ·器件的工艺模拟及参数仿真 | 第21-29页 |
| ·仿真程序设计目标 | 第21-22页 |
| ·仿真程序编写思路 | 第22-24页 |
| ·仿真程序实现过程 | 第24-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第4章 器件ESD仿真与改进设计 | 第30-48页 |
| ·器件的ESD仿真 | 第30-39页 |
| ·器件仿真的模型方程 | 第30-31页 |
| ·器件仿真的参数模型 | 第31-32页 |
| ·器件的参数仿真与ESD能力评估 | 第32-39页 |
| ·器件的ESD保护设计 | 第39-41页 |
| ·器件ESD改进的实验设计 | 第41-46页 |
| ·接触孔镇流电阻对静电能力的影响 | 第41-43页 |
| ·金属间距对静电能力的影响 | 第43-44页 |
| ·场介质厚度对静电能力的影响 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第5章 器件ESD改进的测试验证 | 第48-56页 |
| ·器件ESD能力的晶圆级测试 | 第50-52页 |
| ·器件成品的ESD测试验证 | 第52-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 附录A | 第62-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
