| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-24页 |
| ·研究背景和意义 | 第12-18页 |
| ·空间辐射环境 | 第12-13页 |
| ·半导体器件辐射效应传统表征方法 | 第13-16页 |
| ·传统表征方法的局限性 | 第16页 |
| ·灵敏无损表征方法的意义 | 第16-18页 |
| ·国内外研究概况以及主要问题 | 第18-21页 |
| ·研究概况 | 第18-20页 |
| ·主要问题 | 第20-21页 |
| ·论文的主要内容 | 第21-24页 |
| ·论文的目的 | 第21页 |
| ·章节安排 | 第21-24页 |
| 第二章 半导体器件辐射退化灵敏表征方法 | 第24-54页 |
| ·半导体器件的辐射效应 | 第24-29页 |
| ·电离辐射效应 | 第25页 |
| ·位移辐射效应 | 第25-26页 |
| ·总剂量效应 | 第26-27页 |
| ·单粒子效应 | 第27-29页 |
| ·辐射效应导致的材料损伤与器件性能退化 | 第29-36页 |
| ·材料损伤 | 第29-35页 |
| ·器件性能退化 | 第35-36页 |
| ·传统表征方法 | 第36-38页 |
| ·器件性能退化与参量表征 | 第36-37页 |
| ·传统参量表征的局限性 | 第37-38页 |
| ·半导体器件辐射退化的灵敏表征方法 | 第38-40页 |
| ·辐射作用下器件噪声参量的变化 | 第38-39页 |
| ·器件噪声参量变化与材料损伤的关系 | 第39-40页 |
| ·测试与分析技术基础 | 第40-53页 |
| ·电学参量测试基础 | 第41-42页 |
| ·噪声参量测试基础 | 第42-48页 |
| ·噪声参量分析基础 | 第48-52页 |
| ·灵敏表征参量优选原则 | 第52-53页 |
| ·小结 | 第53-54页 |
| 第三章 双极器件辐射退化灵敏表征方法 | 第54-82页 |
| ·引言 | 第54-55页 |
| ·双极器件内部材料辐射损伤的微观机理 | 第55-58页 |
| ·电离辐射损伤的微观机理 | 第55-57页 |
| ·位移辐射损伤的微观机理 | 第57-58页 |
| ·双极器件辐射退化的噪声表征模型 | 第58-67页 |
| ·电离辐射效应的噪声表征模型 | 第59-62页 |
| ·位移辐射效应的噪声表征模型 | 第62-65页 |
| ·两种辐射效应的区分 | 第65-67页 |
| ·实验结果分析及灵敏表征 | 第67-80页 |
| ·实验样品以及实验环境 | 第67-68页 |
| ·测试平台 | 第68-70页 |
| ·两种效应的电学参量表征 | 第70-73页 |
| ·双极器件辐射退化的噪声表征 | 第73-77页 |
| ·灵敏表征模型的验证 | 第77-80页 |
| ·结论 | 第80-82页 |
| 第四章 MOS 器件潜在缺陷与电离总剂量效应的灵敏表征方法 | 第82-128页 |
| ·引言 | 第82-83页 |
| ·辐射对 MOS 器件的作用 | 第83-95页 |
| ·MOS 器件的潜在缺陷 | 第84-87页 |
| ·辐射作用引起的微观损伤 | 第87-89页 |
| ·辐射作用导致器件的参数退化 | 第89-95页 |
| ·MOS 器件潜在缺陷的 1/f 噪声表征模型 | 第95-102页 |
| ·MOS 器件的 1/f 噪声产生模型 | 第96-100页 |
| ·MOS 器件辐射退化的噪声预测模型 | 第100-102页 |
| ·MOS 器件电离辐射退化模型 | 第102-106页 |
| ·辐射诱导氧化层陷阱电荷模型 | 第103-104页 |
| ·辐射诱导界面陷阱电荷模型 | 第104-105页 |
| ·两种陷阱电荷之间的关系 | 第105-106页 |
| ·实验结果及灵敏表征模型的验证 | 第106-127页 |
| ·实验条件及测试平台 | 第106-110页 |
| ·实验结果及灵敏表征 | 第110-121页 |
| ·基于辐射前 1/f 噪声的表征模型验证 | 第121-127页 |
| ·小结 | 第127-128页 |
| 第五章 超深亚微米器件单粒子翻转新效应的机理与表征研究 | 第128-182页 |
| ·引言 | 第128-130页 |
| ·超深亚微米器件的电荷共享 | 第130-150页 |
| ·单个器件的电荷收集特性 | 第130-132页 |
| ·超深亚微米器件电荷共享效应 | 第132-134页 |
| ·电荷共享的物理机理 | 第134-135页 |
| ·超深亚微米器件电荷收集模型 | 第135-150页 |
| ·计算机模拟验证 | 第150-167页 |
| ·模拟方案 | 第150-155页 |
| ·模拟结果与分析 | 第155-159页 |
| ·不同因素对电荷收集情况的影响 | 第159-167页 |
| ·超深亚微米器件的多位翻转 | 第167-180页 |
| ·超深亚微米器件的单粒子多位翻转 | 第167-169页 |
| ·多位翻转机理研究 | 第169-174页 |
| ·超深亚微米器件多位翻转的表征 | 第174-180页 |
| ·小结 | 第180-182页 |
| 第六章 结论 | 第182-186页 |
| 附录 英文缩略词列表 | 第186-188页 |
| 致谢 | 第188-190页 |
| 参考文献 | 第190-208页 |
| 研究成果 | 第208-210页 |