| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| ·InAlN简介 | 第9-10页 |
| ·GaN基异质结构表面绝缘体的研究现状 | 第10-11页 |
| ·本论文研究意义及主要研究内容 | 第11-13页 |
| 第二章 In_(0.17)Al_(0.83)N/GaN异质结构的势垒 | 第13-20页 |
| ·In_(0.17)Al_(0.83)N/GaN异质结能带图 | 第13-14页 |
| ·In_(0.17)Al_(0.83)N/GaN异质结中的电场和电势分布 | 第14-18页 |
| ·In_(0.17)Al_(0.83)N/GaN异质结构热氧化前后势垒高度的变化 | 第18-20页 |
| 第三章 In_(0.17)Al_(0.83)N/GaN异质结构的热氧化及测试 | 第20-44页 |
| ·In_(0.17)Al_(0.83)N/GaN异质结构样品制备 | 第20-22页 |
| ·In_(0.17)Al_(0.83)N/GaN异质结构的热氧化工艺条件 | 第22页 |
| ·XPS简介 | 第22-23页 |
| ·In_(0.17)Al_(0.83)N/GaN异质结构热氧化后的XPS测试 | 第23-39页 |
| ·XPS测试条件 | 第23-24页 |
| ·样品A的XPS分析 | 第24-31页 |
| ·样品B的XPS分析 | 第31-35页 |
| ·样品C的XPS分析 | 第35-39页 |
| ·氧化物厚度计算 | 第39-41页 |
| ·In_(0.17)Al_(0.83)N/GaN异质结构热氧化后的Raman测试 | 第41-43页 |
| ·测试目的 | 第41页 |
| ·测试条件 | 第41页 |
| ·Raman分析 | 第41-43页 |
| ·XPS测试和Raman测试结论 | 第43-44页 |
| 第四章 氧化对In_(0.17)Al_(0.83)N/GaN异质结构性质的影响 | 第44-61页 |
| ·高质量In_(0.17)Al_(0.83)N/GaN异质结构热氧化的一般规律 | 第44-48页 |
| ·In_(0.17)Al_(0.83)N和GaN界面处的导带偏移△E_c | 第48-50页 |
| ·氧化物/(Ino_(0.17)Al_(0.83)N/GaN)异质结构中二维电子气浓度 | 第50-59页 |
| ·氧化物/(富Al的InAlN/GaN异质结构)系统的2DEG浓度计算公式 | 第50-52页 |
| ·氧化物/(富Al的InAlN/GaN异质结)结构的2DEG浓度的理论分析 | 第52-53页 |
| ·影响二维电子气浓度的关键因素分析 | 第53-54页 |
| ·用MATLAB对In_(0.17)Al_(0.83)N/GaN异质结构的2DEG浓度进行仿真 | 第54-59页 |
| ·结论 | 第59-61页 |
| 第五章 结论 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第68页 |
