| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| ·纳米级MOS 器件研究中的直接隧穿问题 | 第10-14页 |
| ·载流子垂直输运机制 | 第14-17页 |
| ·直接隧穿过程的研究现状 | 第17-18页 |
| ·研究思路及结构内容 | 第18-20页 |
| 第2章 隧穿过程的量子力学理论 | 第20-30页 |
| ·量子力学有关理论 | 第20-26页 |
| ·巴丁传输哈密顿方法 | 第26-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 电荷直接隧穿特征时间的计算 | 第30-42页 |
| ·硅基纳米存储器的工作过程 | 第30-34页 |
| ·计算模型 | 第34-38页 |
| ·硅基纳米存储器工作过程的特征时间 | 第38-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第4章 纳米级 MOS 器件中电子直接隧穿电流的研究 | 第42-55页 |
| ·直接顺序隧穿模型 | 第42-45页 |
| ·计算结果与分析讨论 | 第45-47页 |
| ·高介电常数栅介质材料的直接隧穿电流计算 | 第47-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 附录 攻读硕士学位期间所发表的学术论文目录 | 第62页 |