| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| ·半导体自旋电子学 | 第9-11页 |
| ·什么是半导体自旋电子学 | 第9页 |
| ·自旋电子学的发展 | 第9-11页 |
| ·稀磁半导体概述 | 第11-14页 |
| ·稀磁半导体的概念 | 第11-12页 |
| ·稀磁半导体的物理性质 | 第12-14页 |
| ·稀磁半导体磁性物理机制 | 第14-16页 |
| ·绝缘体内的交换作用 | 第14页 |
| ·载流子媒介交换作用 | 第14-15页 |
| ·束缚迁磁极化子 | 第15-16页 |
| ·稀磁半导体的研究现状 | 第16-17页 |
| ·Mn掺杂体系 | 第16页 |
| ·Co及其它TM掺杂体系 | 第16-17页 |
| ·稀磁半导体的应用前景 | 第17-19页 |
| ·发光材料和光探测器 | 第17页 |
| ·含有DMS材料的量子阱和超晶格 | 第17-18页 |
| ·与DMS巨磁光效应有关的材料和器件 | 第18-19页 |
| ·主要的研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 稀磁半导体薄膜的制备与表征 | 第20-27页 |
| ·稀磁半导体薄膜的制备方法 | 第20-23页 |
| ·射频磁控溅射法 | 第20-21页 |
| ·分子束外延法 | 第21页 |
| ·离子注入技术 | 第21-22页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第22页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第22-23页 |
| ·其它制备方法 | 第23页 |
| ·本课题的薄膜样品的制备 | 第23-25页 |
| ·金属Cr薄膜的制备 | 第24-25页 |
| ·ZnO薄膜的制备 | 第25页 |
| ·Zn_(1-x)Cr_xO薄膜的制备 | 第25页 |
| ·薄膜的测试 | 第25-27页 |
| ·结构的测试 | 第25-26页 |
| ·输运性能的测量 | 第26-27页 |
| 第三章 ZnO薄膜、金属Cr薄膜的结构分析 | 第27-39页 |
| ·概述 | 第27-28页 |
| ·ZnO薄膜的晶体结构 | 第27-28页 |
| ·ZnO基稀磁半导体 | 第28页 |
| ·ZnO薄膜的结构表征 | 第28-35页 |
| ·衬底温度对ZnO薄膜结构的影响 | 第28-30页 |
| ·溅射功率对ZnO薄膜结构的影响 | 第30-31页 |
| ·氧气含量对ZnO薄膜结构的影响 | 第31-32页 |
| ·不同衬底类型对ZnO薄膜结构的影响 | 第32-34页 |
| ·ZnO薄膜的溅射速率 | 第34-35页 |
| ·金属Cr薄膜结构表征 | 第35-38页 |
| ·本底真空对Cr薄膜的结构影响 | 第35-36页 |
| ·工作气压对Cr薄膜的结构影响 | 第36-37页 |
| ·溅射功率对Cr薄膜的结构影响 | 第37-38页 |
| ·Cr薄膜的溅射速率 | 第38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| 第四章 Zn_(1-x)Cr_xO薄膜的结构表征和性能分析 | 第39-46页 |
| ·Zn_(1-x)Cr_xO稀磁半导体结构的表征 | 第39-42页 |
| ·Zn_(1-x)Cr_xO结构特性 | 第39-40页 |
| ·成份及价态的表征 | 第40-42页 |
| ·Zn_(1-x)Cr_xO输运特性的表征 | 第42-44页 |
| ·磁输运性能 | 第42-43页 |
| ·电输运特性 | 第43-44页 |
| ·光学特性 | 第44-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| 第五章 结论与展望 | 第46-48页 |
| ·结论 | 第46页 |
| ·问题和展望 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第52页 |
| 攻读硕士学位期间参与的科研项目 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53页 |