| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 引言 | 第12-24页 |
| 1.1 电介质的基本概念和介电性能 | 第12-16页 |
| 1.2 电介质材料及高介电常数材料 | 第16页 |
| 1.3 巨介电常数材料的研究背景及现状 | 第16-20页 |
| 1.3.1 巨介电常数材料的研究背景 | 第16-18页 |
| 1.3.2 巨介电常数材料的研究现状 | 第18-20页 |
| 1.4 本文的研究意义和研究内容 | 第20-22页 |
| 参考文献 | 第22-24页 |
| 第二章 TiO_2陶瓷的制备、结构表征及电化学性能表征 | 第24-29页 |
| 2.1 陶瓷样品的制备 | 第24-25页 |
| 2.2 陶瓷样品的结构表征 | 第25-28页 |
| 2.2.1 X射线衍射分析(XRD) | 第25-26页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜分析(SEM) | 第26页 |
| 2.2.3 X射线电子能谱分析(XPS) | 第26页 |
| 2.2.4 阻抗分析仪和变温系统 | 第26-28页 |
| 参考文献 | 第28-29页 |
| 第三章 不同材料体系的ISI结构的制备方法和表征手段 | 第29-36页 |
| 3.1 单晶半导体Si片热氧化法 | 第29-30页 |
| 3.2 脉冲激光沉积法 | 第30-32页 |
| 3.2.1 脉冲激光沉积法的过程及其特点 | 第30-31页 |
| 3.2.2 脉冲激光沉积系统和沉积参数分析 | 第31-32页 |
| 3.2.3 脉冲激光沉积法制备薄膜样品 | 第32页 |
| 3.3 磁控溅射样品上的Pt电极 | 第32-33页 |
| 3.4 样品的微结构表征和电性能测试方法 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-36页 |
| 第四章 还原气氛下退火TiO_2陶瓷的微观结构与介电性能研究 | 第36-61页 |
| 4.1 引言 | 第36-37页 |
| 4.2 还原气氛下退火TiO_2陶瓷的微观结构研究 | 第37-47页 |
| 4.2.1 还原气氛下退火TiO_2陶瓷的晶相结构研究 | 第37-39页 |
| 4.2.2 还原气氛下退火TiO_2陶瓷微观形貌分析 | 第39-40页 |
| 4.2.3 还原气氛下退火TiO_2陶瓷元素及价态分析 | 第40-47页 |
| 4.3 还原气氛下退火TiO_2陶瓷的介电性能研究 | 第47-57页 |
| 4.3.1 还原气氛下退火TiO_2陶瓷介电频率谱的研究 | 第47-48页 |
| 4.3.2 还原气氛下退火TiO_2陶瓷介电温度谱的研究 | 第48-52页 |
| 4.3.3 还原气氛下退火TiO_2陶瓷表面和内部电阻率的研究 | 第52-54页 |
| 4.3.4 还原气氛下退火TiO_2陶瓷介电模型分析 | 第54-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 第五章 不同材料体系的ISI结构的微观结构与介电性能研究 | 第61-74页 |
| 5.1 引言 | 第61页 |
| 5.2 单晶半导体Si片热氧化后的微观结构和介电性能研究 | 第61-67页 |
| 5.2.1 单晶半导体Si片热氧化后的微观结构分析 | 第61-63页 |
| 5.2.2 单晶半导体Si片热氧化后的表面的XPS分析及SiO_2膜厚测量 | 第63-64页 |
| 5.2.3 单晶半导体Si片热氧化后的常温介电性能研究 | 第64-67页 |
| 5.3 单晶半导体Si片上下表面镀Ga_2O_3后的微观结构和介电性能研究 | 第67-69页 |
| 5.3.1 单晶半导体Si片上下表面镀Ga_2O_3后的微观结构 | 第67-68页 |
| 5.3.2 单晶半导体Si片上下表面镀Ga_2O_3后的介电性能 | 第68-69页 |
| 5.4 Al_2O_3/TiO_2/Al_2O_3薄膜结构的微观形貌和介电性能研究 | 第69-71页 |
| 5.4.1 Al_2O_3/TiO_2/Al_2O_3薄膜结构的微观形貌 | 第69-70页 |
| 5.4.2 Al_2O_3/TiO_2/Al_2O_3薄膜结构的介电性能 | 第70-71页 |
| 5.5 本章小结 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-74页 |
| 第六章 总结 | 第74-76页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
