| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 GaN功率器件研究背景与意义 | 第9-13页 |
| 1.2 GaN基器件的研究热点及现状 | 第13-20页 |
| 1.3 本文的主要研究内容安排 | 第20-22页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HFET器件耐压机理与开关特性 | 第22-34页 |
| 2.1 极化效应和二维电子气 | 第22-26页 |
| 2.1.1 极化效应 | 第22-24页 |
| 2.1.2 AlGaN/GaN异质结中的二维电子气 | 第24-26页 |
| 2.2 AlGaN/GaN HEMT器件的工作原理 | 第26-28页 |
| 2.3 AlGaN/GaN HEMT器件中的泄漏电流和击穿机制 | 第28-31页 |
| 2.4 AlGaN/GaN HFET器件的开关特性 | 第31-33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 具有局部背势垒的GOI HFET器件研究 | 第34-45页 |
| 3.1 PB-GOI HFET器件结构与工作原理 | 第34-38页 |
| 3.2 PB-GOI HFET结构直流特性与频率特性分析 | 第38-40页 |
| 3.3 PB-GOI HFET结构优化与击穿特性 | 第40-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HFET器件开关特性研究 | 第45-55页 |
| 4.1 P-GaN增强型器件的结构与工作原理 | 第45-47页 |
| 4.2 Silvaco和Spice混合仿真方法介绍与外围电路搭建 | 第47-49页 |
| 4.3 开态特性及关态特性研究 | 第49-52页 |
| 4.4 影响开关特性的因素研究 | 第52-54页 |
| 4.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第55-57页 |
| 5.1 全文总结 | 第55-56页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第63页 |
