| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 基准电压源的研究背景和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外的研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第13-14页 |
| 1.4 本文的组织结构 | 第14-15页 |
| 第二章 基准电压源的论述 | 第15-28页 |
| 2.1 带隙基准电压源的理论原理 | 第15-19页 |
| 2.1.1 负温特性 | 第15-17页 |
| 2.1.2 正温特性 | 第17-18页 |
| 2.1.3 带隙基准电压 | 第18-19页 |
| 2.2 常见的基准源 | 第19-24页 |
| 2.2.1 齐纳基准源 | 第19-20页 |
| 2.2.2 掩埋型齐纳基准源 | 第20页 |
| 2.2.3 带隙基准源 | 第20-21页 |
| 2.2.4 非标准输出基准源 | 第21-22页 |
| 2.2.5 利用DTMOS的基准源 | 第22-24页 |
| 2.3 基准源的性能指标 | 第24-27页 |
| 2.3.1 温度系数 | 第24页 |
| 2.3.2 电源抑制比 | 第24-25页 |
| 2.3.3 线性调整率 | 第25页 |
| 2.3.4 建立时间 | 第25页 |
| 2.3.5 长期稳定性 | 第25-26页 |
| 2.3.6 输出噪声 | 第26-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 PTAT电流产生电路的设计 | 第28-37页 |
| 3.1 MOS管的亚阈特性 | 第28页 |
| 3.2 PTAT电流产生电路的主体设计 | 第28-30页 |
| 3.3 运算放大器的设计 | 第30-36页 |
| 3.3.1 运放输入失调电流 | 第30-31页 |
| 3.3.2 运放共模输入范围 | 第31-33页 |
| 3.3.3 运放结构的设计 | 第33-36页 |
| 3.4 仿真结果 | 第36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 CTAT电流产生电路的设计 | 第37-49页 |
| 4.1 V_(EB)高阶温度特性 | 第37页 |
| 4.2 阈值电压V_(th)的高阶温度特性 | 第37-43页 |
| 4.2.1 低阈值型MOS管阈值电压的温度特性仿真 | 第40-42页 |
| 4.2.2 耐高压型MOS管阈值电压的温度特性仿真 | 第42-43页 |
| 4.3 CTAT电流产生电路的主体设计 | 第43-47页 |
| 4.4 仿真结果 | 第47-48页 |
| 4.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 低功耗基准电压源其他模块的设计 | 第49-68页 |
| 5.1 低功耗基准电压源的总体结构 | 第49页 |
| 5.2 其他模块电路的设计 | 第49-56页 |
| 5.2.1 偏置电路 | 第49-52页 |
| 5.2.2 高温调整电路 | 第52-53页 |
| 5.2.3 电流求和与电流-电压转换电路 | 第53-54页 |
| 5.2.4 启动电路 | 第54-56页 |
| 5.3 整体电路仿真 | 第56-61页 |
| 5.3.1 温度特性 | 第56-58页 |
| 5.3.2 电源抑制特性 | 第58-59页 |
| 5.3.3 线性调整率 | 第59页 |
| 5.3.4 建立时间 | 第59-60页 |
| 5.3.5 输出噪声 | 第60-61页 |
| 5.4 电路误差 | 第61-66页 |
| 5.4.1 系统失调 | 第61-63页 |
| 5.4.2 随机失调 | 第63-65页 |
| 5.4.3 流片失调 | 第65-66页 |
| 5.5 本章总结 | 第66-68页 |
| 第六章 总结及展望 | 第68-70页 |
| 6.1 全文总结 | 第68页 |
| 6.2 后续展望 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第74页 |