| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 碳化硅材料简介 | 第9-11页 |
| 1.2 超高压碳化硅JBS功率二极管的发展和研究意义 | 第11-14页 |
| 1.2.1 国内外研究现状 | 第12-13页 |
| 1.2.2 研究意义 | 第13-14页 |
| 1.3 本论文主要工作 | 第14-15页 |
| 第二章 SiC JBS二极管基本理论 | 第15-21页 |
| 2.1 SiC JBS二极管正向工作原理 | 第15-17页 |
| 2.2 SiC JBS二极管反向工作原理 | 第17-19页 |
| 2.3 SiC JBS二极管反向恢复工作原理 | 第19-20页 |
| 2.4 本章小结 | 第20-21页 |
| 第三章 超高压SiC JBS二极管结构设计 | 第21-39页 |
| 3.1 元胞结构设计 | 第21-26页 |
| 3.1.1 PN结耐压理论 | 第21-22页 |
| 3.1.2 SiC JBS二极管元胞基本结构 | 第22-26页 |
| 3.2 终端结构设计 | 第26-38页 |
| 3.2.1 平面器件曲率效应 | 第26页 |
| 3.2.2 场限环 | 第26-34页 |
| 3.2.2.1 均匀环间距场限环 | 第28-30页 |
| 3.2.2.2 缓变环间距场限环 | 第30-34页 |
| 3.2.3 结终端扩展 | 第34-38页 |
| 3.3 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 金属与SiC肖特基接触研究 | 第39-52页 |
| 4.1 碳化硅肖特基二极管正向电子发射理论 | 第39页 |
| 4.2 碳化硅肖特基接触理论 | 第39-42页 |
| 4.3 不同金属与SiC接触的势垒高度 | 第42-43页 |
| 4.4 金属与SiC接触的势垒高度测量 | 第43-47页 |
| 4.4.1 电流—电压法 | 第43-44页 |
| 4.4.2 电容—电压法 | 第44-46页 |
| 4.4.3 变温—电流法 | 第46-47页 |
| 4.5 金属与SiC肖特基接触工艺 | 第47-51页 |
| 4.6 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 超高压SiC JBS二极管流片与测试 | 第52-59页 |
| 5.1 超高压SiC JBS二极管的流片工艺流程 | 第52-53页 |
| 5.2 超高压SiC JBS二极管的版图 | 第53页 |
| 5.3 超高压SiC JBS二极管的测试 | 第53-58页 |
| 5.3.1 理想因子与势垒高度的提取 | 第53-54页 |
| 5.3.2 正向特性测试 | 第54-57页 |
| 5.3.3 反向特性测试 | 第57-58页 |
| 5.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第六章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第66页 |