| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外发展动态 | 第11-13页 |
| 1.3 本文架构及研究内容 | 第13-15页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT器件物理基础 | 第15-35页 |
| 2.1 传统半导体材料HEMT | 第15-17页 |
| 2.2 AlGaN/GaN异质结材料特性 | 第17-21页 |
| 2.2.1 极化效应 | 第17-19页 |
| 2.2.2 AlGaN/GaN异质结中 2DEG的形成 | 第19-21页 |
| 2.3 增强型AlGaN/GaN HEMT的制备技术 | 第21-28页 |
| 2.3.1 减薄栅极势垒层厚度 | 第21-23页 |
| 2.3.2 栅极负电荷离子注入 | 第23-24页 |
| 2.3.3 降低栅极AlGaN/GaN异质结导带差 | 第24-26页 |
| 2.3.4 GaN MISFET与MIS-HEMT混合器件 | 第26-27页 |
| 2.3.5 基于Si MOSFET控制的AlGaN/GaN HEMT | 第27-28页 |
| 2.3.6 其他理论上可行的方案 | 第28页 |
| 2.4 AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应 | 第28-33页 |
| 2.4.1 电流崩塌成因 | 第28-29页 |
| 2.4.2 电流崩塌表征 | 第29-32页 |
| 2.4.3 电流崩塌抑制 | 第32-33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-35页 |
| 第三章 耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件制作工艺与电学特性研究 | 第35-56页 |
| 3.1 耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件制作工艺与版图设计 | 第35-43页 |
| 3.1.1 耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件制作工艺 | 第35-40页 |
| 3.1.2 耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件版图设计 | 第40-43页 |
| 3.2 耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件电学特性 | 第43-55页 |
| 3.2.1 耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件转移特性 | 第43-49页 |
| 3.2.2 耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件输出特性 | 第49-54页 |
| 3.2.3 耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件耐压特性 | 第54-55页 |
| 3.3 本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 增强型AlGaN/GaN HEMT转移特性与阈值电压模型研究 | 第56-76页 |
| 4.1 槽栅结构AlGaN/GaN HEMT转移特性与阈值电压模型 | 第56-61页 |
| 4.1.1 槽栅结构AlGaN/GaN HEMT转移特性 | 第56-58页 |
| 4.1.2 槽栅结构AlGaN/GaN HEMT阈值电压模型 | 第58-61页 |
| 4.2 栅极负电荷离子注入AlGaN/GaN HEMT转移特性与阈值电压模型 | 第61-73页 |
| 4.2.1 栅极负电荷离子注入AlGaN/GaN HEMT转移特性 | 第61-67页 |
| 4.2.2 栅极负电荷离子注入AlGaN/GaN HEMT阈值电压模型 | 第67-73页 |
| 4.3 场致隧穿增强型AlGaN/GaN HEMT器件电学特性研究 | 第73-75页 |
| 4.4 本章小结 | 第75-76页 |
| 第五章 结论 | 第76-78页 |
| 5.1 本文的主要贡献 | 第76-77页 |
| 5.2 下一步工作的展望 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-87页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第87-88页 |
