双极型绝缘栅晶体管终端可靠性的分析
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 功率器件的发展简史 | 第9-10页 |
| 1.2 IGBT的发展及国内外状况 | 第10-14页 |
| 1.3 本文的研究意义 | 第14-15页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第15-16页 |
| 第二章 耐压原理 | 第16-32页 |
| 2.1 击穿机制 | 第16-22页 |
| 2.1.1 齐纳击穿 | 第16-17页 |
| 2.1.2 热击穿 | 第17-19页 |
| 2.1.3 雪崩击穿 | 第19-22页 |
| 2.2 耐压原理 | 第22-24页 |
| 2.3 平面结终端技术 | 第24-31页 |
| 2.3.1 等位环 | 第25-26页 |
| 2.3.2 场限环 | 第26-27页 |
| 2.3.3 场板结构 | 第27-30页 |
| 2.3.4 结终端扩展 | 第30-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 终端选型及工艺设计 | 第32-44页 |
| 3.1 终端结构选型 | 第32-36页 |
| 3.2 工艺设计 | 第36-43页 |
| 3.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 初次流片结果及分析 | 第44-58页 |
| 4.1 静态耐压测试 | 第44-52页 |
| 4.1.1 软击穿 | 第44-50页 |
| 4.1.2 击穿曲线蠕动 | 第50-52页 |
| 4.2 高温反偏实验 | 第52-57页 |
| 4.3 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 高可靠性终端的优化及测试分析 | 第58-66页 |
| 5.1 终端优化 | 第58-62页 |
| 5.2 流片测试结果 | 第62-64页 |
| 5.2.1 静态特性测试 | 第62页 |
| 5.2.2 168小时高温反偏考核 | 第62-64页 |
| 5.2.3 动态开关测试 | 第64页 |
| 5.3 本章小结 | 第64-66页 |
| 第六章 结论 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 硕士研究生期间取得的成果 | 第70-71页 |
