| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-9页 |
| ·标准单元库设计概述 | 第7-8页 |
| ·已有研究成果 | 第8页 |
| ·标准单元库设计所面临的挑战 | 第8-9页 |
| 第二章 标准单元库构成 | 第9-15页 |
| ·标准单元库中的单元 | 第9-12页 |
| ·组合逻辑单元 | 第9-10页 |
| ·时序逻辑单元 | 第10页 |
| ·传统辅助单元 | 第10-11页 |
| ·低功耗辅助设计单元 | 第11-12页 |
| ·标准单元库建库流程 | 第12-13页 |
| ·标准单元库的工艺文件 | 第13-15页 |
| 第三章 版图设计规则和数字后端设计流程 | 第15-21页 |
| ·数字电路版图设计规则 | 第15-18页 |
| ·有源区设计规则 | 第15-16页 |
| ·栅极设计规则 | 第16页 |
| ·金属设计规则 | 第16-17页 |
| ·接触孔与过孔设计规则 | 第17-18页 |
| ·标准单元电路版图设计规则 | 第18-19页 |
| ·数字电路设计流程的演进 | 第19-21页 |
| 第四章 标准单元库的优化设计 | 第21-39页 |
| ·标准单元版图密度、阈值电压的优化设计 | 第21-22页 |
| ·不同标准单元之间尺寸比例的优化设计 | 第22-26页 |
| ·标准单元内部PN Ratio的优化设计 | 第26-28页 |
| ·电路结构的优化设计,MUX2、XOR3 | 第28-31页 |
| ·两输入选择器MUX2 | 第28-29页 |
| ·三输入异或电路XOR3 | 第29-31页 |
| ·深亚微米条件下STI、WPE效应对标准单元设计的影响 | 第31-39页 |
| ·STI效应 | 第32-36页 |
| ·WPE效应 | 第36-39页 |
| 第五章 粗粒度电源门控(Coarse Grain Power Gating)单元优化设计 | 第39-61页 |
| ·电源门控(Power Gating)技术的原理 | 第39-41页 |
| ·MOS管导通、关闭状态下的电流 | 第41-44页 |
| ·最小栅长下Power Gating单元性能比较 | 第44-46页 |
| ·最小栅长和非最小栅长下的Power Gating单元效率分析 | 第46-50页 |
| ·开关效率(Switch Efficiency) | 第46-49页 |
| ·面积效率和有源区效率 | 第49-50页 |
| ·漏电流抑制能力分析 | 第50-61页 |
| ·50-Inverter Chain测试电路IR-Drop和漏电流抑制分析 | 第50-53页 |
| ·ISCAS’95、ISCAS’98测试电路漏电流抑制分析 | 第53-55页 |
| ·HSPICE和数字EDA工具的漏电流仿真结果比较 | 第55-61页 |
| 第六章 结论与展望 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
