磁电输运测量系统及透明导电氧化物半导体特性研究
| 摘要 | 第6-9页 |
| Abstract | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第15-37页 |
| 1.1 研究背景 | 第15-16页 |
| 1.2 新型半导体技术 | 第16-19页 |
| 1.2.1 宽禁带半导体 | 第16-17页 |
| 1.2.2 量子自旋器件 | 第17-19页 |
| 1.3 太赫兹与半导体技术 | 第19-22页 |
| 1.3.1 太赫兹检测识别技术 | 第20-21页 |
| 1.3.2 半导体技术填补“太赫兹空白” | 第21-22页 |
| 1.4 半导体的表征与模型 | 第22-29页 |
| 1.4.1 半导体电学特性表征技术 | 第23-25页 |
| 1.4.2 半导体组分和结构表征技术 | 第25-26页 |
| 1.4.3 半导体光学特性表征与模型简介 | 第26-29页 |
| 1.5 博士期间的研究工作 | 第29-31页 |
| 参考文献 | 第31-37页 |
| 第二章 半导体磁电输运数据采集分析系统 | 第37-71页 |
| 2.1 精密电学信号采集的挑战 | 第37-42页 |
| 2.2 霍尔效应的生命力 | 第42-44页 |
| 2.3 数字锁相法实时输运测量系统 | 第44-52页 |
| 2.3.1 标准霍尔条法技术原理 | 第44-46页 |
| 2.3.2 锁相交流输运测量系统 | 第46-52页 |
| 2.4 复杂环境下半导体多电学特性采集分析系统 | 第52-65页 |
| 2.4.1 范德堡法技术原理 | 第52-54页 |
| 2.4.2 基于范德堡原理的数据采集分析系统 | 第54-65页 |
| 2.5 本章小结 | 第65-67页 |
| 参考女献 | 第67-71页 |
| 第三章 CCMO太赫兹特性与载流子动力学 | 第71-91页 |
| 3.1 实验细节 | 第72-73页 |
| 3.2 CCMO太赫兹特性 | 第73-77页 |
| 3.2.1 数据模型与拟合技术 | 第73-74页 |
| 3.2.2 CCMO介电函数模型 | 第74-77页 |
| 3.3 CCMO载流子动力学 | 第77-83页 |
| 3.3.1 CCMO导电特性分析 | 第77-81页 |
| 3.3.2 CCMO载流子输运机制 | 第81-83页 |
| 3.4 本章小结 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-91页 |
| 第四章 CCMO振动模式及能带模型 | 第91-121页 |
| 4.1 实验细节 | 第93页 |
| 4.2 CCMO能带模型与激子激发机制 | 第93-103页 |
| 4.2.1 CCMO的透射谱表征 | 第93-97页 |
| 4.2.2 CCMO禁带宽度的温度依赖特性 | 第97-99页 |
| 4.2.3 CCMO电子能带结构建模 | 第99-101页 |
| 4.2.4 CCMO光致发光谱表征 | 第101-103页 |
| 4.3 CCMO振动模式分析 | 第103-111页 |
| 4.3.1 理论计算 | 第103-105页 |
| 4.3.2 CCMO变温拉曼表征 | 第105-106页 |
| 4.3.3 CCMO局部太赫兹谱特征分析 | 第106-107页 |
| 4.3.4 CCMO磁阻与跃迁模型 | 第107-111页 |
| 4.4 本章小结 | 第111-113页 |
| 参考文献 | 第113-121页 |
| 第五章 基于CCMO的低压隧穿异质结器件 | 第121-133页 |
| 5.1 实验细节 | 第122-123页 |
| 5.2 CCMO/ZAO异质结器件的I-V特性 | 第123-125页 |
| 5.3 CCMO/ZAO异质结器件的能带结构 | 第125-128页 |
| 5.4 本章小结 | 第128-129页 |
| 参考文献 | 第129-133页 |
| 第六章 总结与展望 | 第133-137页 |
| 6.1 总结 | 第133-135页 |
| 6.2 展望 | 第135-137页 |
| 攻读博士学位期间论文、专利和奖励情况 | 第137-139页 |
| 致谢 | 第139-140页 |
