| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 符号说明 | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 背景介绍 | 第10-13页 |
| 1.1.1 石墨烯 | 第10-13页 |
| 1.1.2 二硫化钼 | 第13页 |
| 1.2 黑磷 | 第13-16页 |
| 1.2.1 晶体结构 | 第14-15页 |
| 1.2.2 力学性质 | 第15页 |
| 1.2.3 热电性质 | 第15页 |
| 1.2.4 黑磷的制备 | 第15-16页 |
| 1.2.5 液相剥离法 | 第16页 |
| 1.2.6 脉冲激光沉积法 | 第16页 |
| 1.3 磷烯电子结构的调控 | 第16-18页 |
| 1.4 总结 | 第18页 |
| 1.5 本文的内容安排 | 第18-19页 |
| 第二章 研究磷烯电子结构理论方法及其应力调控的意义 | 第19-30页 |
| 2.1 能带结构的计算方法 | 第19-30页 |
| 2.1.1 原胞法(Cellular Method) | 第19-21页 |
| 2.1.2 缀加(增广)平面波法(Augemented Plane Wave Method) | 第21-22页 |
| 2.1.3 格林函数法(Korring1947,Kohn Rostoker 1954) | 第22页 |
| 2.1.4 正交平面波法: (Orthogonalized Plane Wave Method) | 第22-23页 |
| 2.1.5 赝势法(Pseudopotentials) | 第23-25页 |
| 2.1.6 密度泛函理论(The density-function theory) | 第25页 |
| 2.1.7 紧束缚近似方法 | 第25-30页 |
| 第三章 单层磷烯及其不同边界纳米带计算 | 第30-40页 |
| 3.1 磷烯的性质研究的计算 | 第31-38页 |
| 3.1.1 能带的紧束缚的计算 | 第31-34页 |
| 3.1.2 有效质量的计算 | 第34-37页 |
| 3.1.3 磷烯迁移率的计算 | 第37-38页 |
| 3.2 磷烯不同边界纳米带的电子结构的计算 | 第38-40页 |
| 第四章 应力调控下的磷烯和磷烯纳米带的电子结构的研究 | 第40-45页 |
| 4.1 应力对二维磷烯电子结构的调控 | 第40-41页 |
| 4.2 磷烯zigzag-zigzag边界纳米带在应力调控下的电子结构 | 第41-44页 |
| 4.3 磷烯zigzag-zigzag边界纳米带在应力调控下的能带带隙的分析 | 第44-45页 |
| 第五章 总结与展望 | 第45-46页 |
| 5.1 总结 | 第45页 |
| 5.2 展望 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 攻读期间发表的学术论文 | 第54页 |
