| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 前言 | 第9页 |
| 1.2 研究背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.3 掺杂砷化镓的研究进展与现状 | 第10-12页 |
| 1.3.1 砷化镓晶体结构 | 第10页 |
| 1.3.2 砷化镓的光电特性 | 第10-11页 |
| 1.3.3 掺杂砷化镓的研究进展与现状 | 第11-12页 |
| 1.4 选题依据及研究内容 | 第12-15页 |
| 1.4.1 选题目的与意义 | 第12-13页 |
| 1.4.2 论文的主要内容及结构安排 | 第13-15页 |
| 2 研究理论及方法 | 第15-25页 |
| 2.1 第一性原理 | 第15-17页 |
| 2.1.1 Hartree-Fock方法 | 第15页 |
| 2.1.2 绝热近似 | 第15-16页 |
| 2.1.3 Hartree-Fock近似 | 第16-17页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第17-20页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第17-18页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第18-19页 |
| 2.2.3 交换关联泛函 | 第19页 |
| 2.2.4 自洽场计算 | 第19-20页 |
| 2.2.5 赝势 | 第20页 |
| 2.3 Materials Studio及VASP介绍 | 第20页 |
| 2.4 模型构建及计算方法 | 第20-21页 |
| 2.5 半导体的能带结构及态密度 | 第21-22页 |
| 2.5.1 能带结构 | 第21页 |
| 2.5.2 态密度 | 第21-22页 |
| 2.6 半导体的线性光学性质 | 第22-23页 |
| 2.7 本章小结 | 第23-25页 |
| 3 不同比例的Cu掺杂对GaAs特性的影响 | 第25-37页 |
| 3.1 模型结构 | 第25页 |
| 3.2 不同比例Cu掺杂GaAs材料的电子结构 | 第25-29页 |
| 3.3 不同比例Cu掺杂GaAs材料的光学特性 | 第29-34页 |
| 3.3.1 复介电函数 | 第29-31页 |
| 3.3.2 吸收系数与折射率 | 第31-32页 |
| 3.3.3 能量损失谱、反射率及消光系数 | 第32-34页 |
| 3.4 本章结论 | 第34-37页 |
| 4 Cu掺杂位置对GaAs特性的影响 | 第37-47页 |
| 4.1 电子结构 | 第37-40页 |
| 4.2 光学性质 | 第40-45页 |
| 4.2.1 复介电函数 | 第41-42页 |
| 4.2.2 吸收系数与折射率 | 第42-43页 |
| 4.2.3 能量损失谱、反射率及消光系数 | 第43-45页 |
| 4.3 本章总结 | 第45-47页 |
| 5 Cu-Cr共掺杂对GaAs特性的影响 | 第47-55页 |
| 5.1 电子结构 | 第47-49页 |
| 5.2 光学性质 | 第49-52页 |
| 5.2.1 复介电函数 | 第49-50页 |
| 5.2.2 吸收系数与折射率 | 第50-51页 |
| 5.2.3 能量损失谱、反射率及消光系数 | 第51-52页 |
| 5.3 Cu-Cr共掺杂GaAs材料的磁性 | 第52-54页 |
| 5.4 本章总结 | 第54-55页 |
| 6 结论与展望 | 第55-57页 |
| 6.1 结论 | 第55-56页 |
| 6.2 展望 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 附录 | 第65页 |