低压带隙基准电路
| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-11页 |
| 1.3 本文的研究内容及结构 | 第11-13页 |
| 第二章 带隙基准理论基础 | 第13-28页 |
| 2.1 带隙基准的基本原理 | 第13-18页 |
| 2.1.1 带隙基准的基本原理 | 第13-14页 |
| 2.1.2 带隙基准的负温度系数电压产生模块 | 第14-15页 |
| 2.1.3 带隙基准的正温度系数产生模块 | 第15-17页 |
| 2.1.4 带隙基准原理实现电路 | 第17-18页 |
| 2.1.5 带隙基准中的CMOS工艺 | 第18页 |
| 2.2 带隙典型电路 | 第18-21页 |
| 2.3 带隙基准误差分析 | 第21-25页 |
| 2.3.1 BJT引入误差 | 第21-23页 |
| 2.3.2 电阻引入误差 | 第23页 |
| 2.3.3 MOS管引入误差 | 第23-24页 |
| 2.3.4 运放引入误差 | 第24-25页 |
| 2.4 带隙基准的指标 | 第25-27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 基于电流模式的低压带隙 | 第28-41页 |
| 3.1 两级运算放大器 | 第28-32页 |
| 3.2 偏置电路 | 第32-33页 |
| 3.3 启动电路 | 第33-34页 |
| 3.4 带隙基准核心电路设计 | 第34-37页 |
| 3.5 输出滤波器 | 第37页 |
| 3.6 仿真结果 | 第37-40页 |
| 3.6.1 温度特性仿真 | 第37-38页 |
| 3.6.2 电源抑制比特性仿真 | 第38-39页 |
| 3.6.3 线性调整率仿真 | 第39-40页 |
| 3.6.4 启动时间仿真 | 第40页 |
| 3.7 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 基于DTMOST的低压带隙 | 第41-57页 |
| 4.1 OVF电路基本原理 | 第41-44页 |
| 4.2 带隙基准总体电路设计 | 第44-50页 |
| 4.3 缓冲器的设计 | 第50-51页 |
| 4.4 仿真结果 | 第51-56页 |
| 4.4.1 温度特性仿真 | 第52-53页 |
| 4.4.2 电源抑制比特性仿真 | 第53-54页 |
| 4.4.3 线性调整率仿真 | 第54-55页 |
| 4.4.4 瞬态分析 | 第55-56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 总结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 图目录 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
